前馈线性功率放大器的设计

从前馈线性功率放大器的基本原理出发,采用HP ADS仿真软件对主功放进行优化设计,并在此基础上,提出加入反馈环路的前馈线性化设计方案,在保证系统性能的同时大大降低了系统实现难度.仿真结果表明该系统在输出10 W连续波功率的同时,三阶交调失真(IMD)低于信号功率-77 dBc,取得了明显的线性度改善效果.     

一款小型化S频段高谐波抑制功率放大器的设计

为了确保卫星系统电磁兼容性满足要求,设计了一款应用于卫星测控通信系统的小型化S频段高谐波抑制功率放大器。通过在功放输出端设置谐波抑制网络改善了电路的谐波抑制性能。采用集总与分布参数元件相结合匹配形式,实现了电路的小型化设计。电路尺寸38.5 mm×28.2 mm。通过对功放腔体结构进行细化建模仿真,确保了功放电路的稳定性。实测结果表明,当工作频率为2.52 GHz时,功放1 dB压缩点大于31 dBm,谐波抑制度大于61 dBc,功率附加效率高于35%,1 dB带宽大于320 MHz。与国内外同类产品相比,该功放在谐波抑制性能等方面具有明显优势。     

一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源

介绍了一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源,给出了系统组成与工作原理,提供了其主要部件W频段固态Gunn驱动源、W频段波导-微带转换器、主放大器芯片基本性能及实验测试结果。该固态毫米波源工作频率94 GHz,输出连续波功率大于300 mW,线性增益10 dB,附加效率（PAE）大于16%.在W频段固态毫米波源研制过程中,其单片微波集成电路（MMIC）功率放大器半导体材料选择经历了GaAs、InP到GaN演变,结果清楚表明,W频段毫米波源的GaN MMlC功率放大器输出功率、增益、效率、高温性能要优于其他固态MMIC功率放大器性能。W频段大功率固态GaN MMlC技术将在毫米波领域带来新的技术革命和应用。     

Ka频段10 W自适应射频预失真线性化固态功放研制

射频功率放大器的特性会随信道切换、环境温度、工作状态等多种因素发生变化,为了保证功率放大器的优良工作特性,具有自适应性能的预失真系统就显得非常重要。提出了一种自适应反馈检测方法,以减小放大器输出信号的幅度失真和相位失真作为系统自适应的优化目标,〖JP2〗采用多方向搜索优化算法对预失真系统进行优化调整,使系统始终处于最优工作状态。研制了工作于Ka频段10 W自适应射频预失真线性化固态功放原理样机,当工作温度为-40℃～+60℃时,在3 GHz的工作带宽内,三阶交调指标优于-32 dBc。测试结果表明该功放具有工作频带宽、温度适应性广等特点。     

数字化短波发射机功率反馈控制系统的设计与实现

为了改善短波功放幅频特性曲线的不平坦性,并且能在天线调谐失调的情况下保护功 放,设计了一种数字化功率反馈控制系统。该系统根据功放输出端反馈的正向功率值和反向 功率值来实时调整发射机的输出,以保证输出功率稳定在期望值。系统由功率检测单元和DS P单元组成,重点分析了功率反馈系统中功率检测电路的设计和DSP单元中的功率控制算 法流程。实测结果证明,该系统能使功放的输出功率稳定在期望值的±0.25 dB范围内 ,并 且能有效防止因功率过冲烧毁功放。     

W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计

基于自主研发GaAs肖特基二极管（SBD）设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频（RF）信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT（赝晶型高电子迁移率晶体管）混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。     

L频段低谐波失真功率放大器的设计

针对L频段低谐波失真功率放大器的设计,进行线性与非线性电路分析仿真和电路的优化设计。从理论上分析了甲乙类功率放大器的谐波失真特性,通过采用具有抑制谐波特性的输出匹配电路以降低功放产生的谐波失真。测试得到电路的关键技术指标为:工作频率范围1 390~1 510MHz,增益35 dB,1 dB压缩点33 dBm,并获得了满意的谐波抑制指标,在1 480 MHz、输出功率33dBm时,二、三次谐波分别为-70 dBc和-63 dBc。结果表明在功放设计中,优化设计输出匹配电路可以有效抑制功放的谐波失真。     

射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物一半导体(SOI LDMOS)电路模型.根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真.该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计.结果表明放大器的增益达到15 dB,输出功率达到25 dBm,功率附加效率大于40%.     

射频功率放大器告警功能模拟检测方案

射频功放模块是基站系统中的核心部件,出厂前对射频功放模块的功能进行检测意义 重大。设计了一块告警功能测试板,通过观察与射频功放模块相连的测试板上的LED灯,判 断射频功率放大器功能是否正常。实践证明,该方法能模仿射频功率放大器在实际基站系统 中 的工作行为,不仅有效地提高了射频功率放大器的良品率,而且适用于商业化大规模批量生 产。     

新型三等分Wilkinson功分器在高效率功放中的应用

针对一种新型的三路Doherty功率放大器,为满足其对称结构要求,在传统对称结 构二等分功分器基础上,结合三路Doherty功放电路尺寸,通过理论计算和采用ADS软件仿真 的方法设计了对称结构三等分Wilkinson功分器。其尺寸为19 mm×11 mm,在2.11 ～2.17 GHz内,插入损耗小于0.4 dB,输出端口隔离度大于16 dB,端口回波 损耗大于13 dB。在适应三路Doherty功放对称结构的前提下,功分器性能指标满足功放 电路三路相位一致性设计要求,提高了放大器工作效率,测试结果显示饱和点工作效率高于 两路Doherty功率放大器。