Um—5微小型石英晶体谐振器

本文简要介绍石英晶体谐振器小型化的发展概况及Ｕｍ－５微小型石英晶体谐振器的设计、制造工艺。文中对该产品的应用情况也作了简单说明。该产品的频率制造公差在±１０ｐｐｍ以内，当工作温度范围分别为０℃￣６０℃，－２０℃￣＋６０℃时，可以达到±５ｐｐｍ，±１０ｐｐｍ内的小公差。Ｕｍ－５微小型石英晶体谐振器体积小，且质量稳定可靠，它们是移动通信等电子设备中良好的电子元器件。     

一种新型的石英晶体单组份导电胶

本文介绍一种新型的用于石英晶体的单组份导电胶。分析了导电机理和配方选择,介绍了这种胶的测试数据。这种胶用于石英晶体的性能:电阻率5.2×10~(-4)(欧姆—厘米);粘结强度高,能经受高温(+125℃)、低温(-50℃)循环冲击;低温不龟裂;在晶体上使用不流失、不扩散、不拉丝、不腐蚀污染晶体;胶合后对石英谐振器的频率、电阻——温度特性没有不良影响;胶合后对频率、等效电阻影响小,结果满意。一次配成的胶液存放一年以上仍能继续使用,固化后的导电胶,长期存放,电阻保持不变。     

微型晶体振荡器的研制

本文介绍的微型晶体振荡器有普通型、快速加热简易恒温型、多信号输出等三种类型晶振.其中快速加热简易恒温型在常温下工作时,频率—温度特性达10~(-7),在正温范围工作时,频—温特性达lO~(-6)/(0℃～80℃),多信号输出型目前已作出的每台晶振有1OMHz、5MHz、1MHz、500KHz、1OOKHz等五个频率的信号输出,其频率稳定度为10~(-5).晶振的振荡电路、放大电路、温控电路及分频电路,均以集成技术来实现,并与石英晶体谐振器—同用电阻焊密封于16×16×5.5(mm)~3的金属盒内,其重小于5克.     

高精度温度传感器

日本村田制造公司研制出一种低成本薄膜温度传感器.这种温度传感器是通过把1～2微米厚的白金电阻图形印在高纯度氧化铝基片上制成的.其工作温度范围为-50℃～+600℃.允许电阻值误差为±0.06%(A级)和±0.12%(B级),电阻温度系数为为3850±5ppm/(A级)和3850±12ppm/C(B级).线性为0.6℃     

可编程温度补偿晶体振荡器技术

介绍了一种新型的可编程温补晶振(TCXO),它是在传统的温补晶振基础上,结合锁相技术及新工艺研制而成。该可编程温补晶振输出频率可以根据用户需要进行再设置,不仅具有传统温补晶振的优点,而且使用灵活、方便。通过对10~300 MHz频率范围内的可编程温补晶振的实验,已获得了很好的效果。在-55℃~85℃的温度范围内,频率温度稳定度优于±2 ppm。利用贴装、混合工艺等使晶振的体积做到20.4 mm×13 mm×10 mm(D IP14)。     

微小型恒温晶体振荡器

本文介绍体积为20×12×5(mm)和16×16×5.5(mm)两种结构的微小型恒温晶体振荡器的设计制造、工艺以及为微型化而对晶体谐振器进行专门的设计安装。详细介绍了对主振电路、射随级和加热及控温电路采用混合集成和表面安装技术而实现了微型化。对已提供给航空、航天电子工程使用的,频率从100kHz到80MHz范围部分产品进行的全面技术指标测试结果进行了分析。还对多信号输出晶体振荡器的工作原理作了简单介绍。     

微带环状谐振器晶体管谐波振荡器

晶体管谐波振荡器采用基频较低的晶体管,所以成本低和可以用低频晶体实现稳频。但是基频较低时,谐振器的尺寸一般都比较大。例如,1千兆赫腔体的尺寸为15×15×15厘米~3,微带直线谐振器电路板的尺寸为18×3×0.3厘米~3。为了解决这一问题,美国马克特大学电子工程与计算机科学部的P.杰泽克等人提出了采用微带环状谐振器的办法,电路尺寸可缩小到5×5×0.3厘米~3。微带环状谐振器共发射极柯尔匹兹型振荡     

最小二乘法在研制石英谐振器中的应用

一切从事精密科学试验及精密测量的同志,应用数理统计来处理测试数据,是目前几乎离不开的手段。本文简要地介绍了最小二乘法这一数学方法,重点是借助由最小二乘法推证的一般公式,在研制石英谐振器时用于精确确定石英谐振器的频率温度特性,如T_(Z.T.C)温度、T_(Z.T.C)点频率、频率温度系数T_f以及温度频差等;计算并预估高稳定晶振的老化率及老化特性;确定石英片切角与谐振器T_(Z.T.C)温度的经验计算式;等等。为应用计算器来完成较烦锁的数据处理,文中以Ti—59为例,编制了若干典型实例的计算程序供参考。     

一种新型电子集成热量表

本文介绍一种电子集成热量表,它的电路简单、成本低、可靠性高、精度高,其主要技术指标为: (1)温度传感器的线性度在±1％内,温差高到40℃; (2)温度/输出脉冲频率变换器的精度在±2％内; (3)工作温差范围0℃～40℃;     

5公分中功率高效率高稳定度FET振荡器

我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。