高稳定C频段砷化镓场效应晶体管振荡器

因为砷化镓场效应晶体管振荡器比其它类型的固态振荡器的噪声低,效率高而且设计灵活,所以在微波通信中非常适用。目前已有有关 C 频段和 X 频段的砷化镓场效应晶体管振荡器试验成功的报导。这些振荡器的输出功率均低于10O毫瓦,直流——射频变换效率低于20%。本设计采用共源砷化镓场效应晶体管振荡器结构。振荡器是一个 C 频段的集成化振荡器。在振荡器中有一个最佳外反馈网络,共源场效应晶体管片安装在氧化铝陶瓷基片上。振荡器的微带线和作反馈用的电容器串联连接。这种没有采取稳定措施的振荡器,在6千兆赫可产生400毫瓦的功率,效率为38%。这可与同一场效应晶体管片作放大器用时产生的最大输出功率相比拟。     

本机振荡器和信标发生器

本机振荡器/信标发生器把信号送给混频器和信标输出端。这两种发生器在电气方面各自独立,但都装在同一个组件内。每个发生器都包括晶体管化的放大器、高次阶跃二极管和5节的同轴滤波器。加到混频器的信号是2225兆赫;加到信标的信号,其频率标称值为3950兆赫。到混频器的输出电平,其标称值为 8分贝毫瓦;到信标的输出电平,其标称值为○分贝毫瓦。对于这两种发生器来说,由15伏的电源线电压变化引起的功率输出变化可以忽略不计。     

一种噪声系数低,功率匹配好的1.1千兆赫到2.4千兆赫的晶体管放大器

目前已制造了一种有潜力的低成本放大器微型组件。放大器是采用晶体管管芯和薄膜、梁式引线或片状元件等构成的混合微波集成电路。这种放大器的设计表明,已经有一种能够获得最低噪声系数的输入功率匹配技术。这种技术是使用反馈的方法实现功率匹配,而同时在晶体管的输入端保持最小噪声系数所要求的源阻抗。放大器采用Mullard公司生产的BFR90晶体管管芯,在无反馈时,放大器的失配电压驻波比大于3:1。在1.5千兆赫的中心频率,300兆赫的宽带范围内,对50欧姆的源,放大器的噪声系数已可做到3.5分贝,输入电压驻波比小于1.25:1。在1.1至2.4千兆赫的频率范围,两级匹配放大器的增益在16分贝与12分贝之间。     

卫星用行波管

已研究出国内通讯卫星用的18GHz和4GHz频段行波管。18 GHz行波管能提供5瓦的输出功率、45dB增益和25%的效率,而功耗低,仅25.7瓦。根据寿命试验初步推算出在卫星发射后的五年内,其失效率小于3000×10~(-9),寿命超过7×10~4小时。就4GHz行波管而言,已获得6.2瓦的输出功率,功耗为26.7瓦,包括电源在内仅1.4公斤重。     

新颖应用电路·实用电路集(ANP.416～421)

416.简单信号发生器这种信号发生器提供两种电平的440Hz正弦波输出.供电电源处于1.5V和16V之间,因此,一个1.5V的单电池就能作供电电源。运算放大器IC(1a),作为一个矩形波发生器;R_4和C_1的值,决定于这种器件触发输出的频率。预调P_1能将输出调整为方波(可通过收听者来调整,而失真度最小)。网络R_5—R_6—C_2在信号与一部分电源     

卫星通信实验站的发信设备

为了建立国内通信卫星地面站,有必要积累各种技术。本文叙述了6GC 和26GC 频带的发信设备的设计方案以及试验结果。发信设备由两级行波管放大器,电源、控制电路以及水冷系统等构成。展宽放大器的频带作为设计的重点。设备的输出功率,在6GC 时最大为5千瓦,26GC 时为100瓦。设备安装在实验所的发信室中,其操作可以从实验室里进行遥控。     

弹载跟踪接收机(VTR)相干自动增益控制(AGC)的噪声分析

5.1 引言 VTR采用了相干的AGC,以便当进入跟踪装置的第一混频器的信号电平高于-85dBm时,使进入载波和测距环路的鉴相器的信号电平尽可能保持接近不变,如图5.1所示。当输入信号超过-85dBm及AGC正常工作以后,在有增益控制的中频放大器后面的限幅器起线性放大器的作用。因在这些信号电平内无限幅,故AGC引起的任何噪声都会加到鉴相器去。本文的目的,是对这种噪声影响进行估算。     

800MHz频段小型高效功率放大器

用于移动通信终端装置的发信功率放大器必须尽可能小型且高效率。为大量生产出廉价的产品,无调整装配是一个好方法。为满足这些要求,在一块25×20(mm)的氧化被基板上,试制了集中常数三级C类功率放大器。晶体管芯片直接装在基板上,尽量减小它的寄生电抗。在800MHz和900MHz频段,10W输出时,功率增益为23～24dB,总效率达40%以上。为减少制作放大器时产生的电路阻抗误差,对无源元件及其在基板上的安装方法进行了研究,并用无调整装配法试装了90台放大器。事实证明,大量生产时的无调整化是可行的。另外,种种可靠性试验表明,所试制的放大器可以适应车载无线终端机所承受的振动、温度等严酷环境。     

浅析宽带放大器的理论与设计

本设计由5V单电源供电,采用两片高速运算放大器OPA820ID作为第一级放大电路,THS3091D作为末级放大电路,能够实现最大增益45dB的放大倍数,负载50欧姆情况下输出最大峰峰值大于10V的宽带放大器。利用DC--DC变换器TPS61087DR,C为末级放大电路供电。设计一个17M的巴特沃兹来降低放大器输出噪声,实现0～10M的通带平稳。峰值检测由msp450f449单片机的片内12住AD完成,可实现对范围在0Hz～15MHz的输出电压峰值检测,并使用点阵式液晶屏实时显示。经测试,大部分指标达到题目发挥部分要求。     

C波段立体微带电路GaAs FET功率放大器

利用一四一三所研制的微波功率砷化镓FET,研制了一种高增益的五级功率放大器,末级利用功率合成。在C波段,线性增益31dB,1dB增益压缩点输出功率为860mw。当输入信号为1mw时。中心频率输出为940mw,效率达10%左右。     

注入锁定式微波集成收-发固态源

本文介绍一种工作在-40℃～+80℃之间的微波集成收—发固态源,从米波段到五公分频率的十多个部件,全都制作在陶瓷基片和铁氧体基片上。固态源既包含了接收机的本振信号,又为发射信道激励行波管的调相器提供了载波功率。其中,采用的功分振荡器则是利用晶体管的双发射极将功率分为两路非平衡输出的一次成功尝试。在注锁电路中采用注入锁定放大器提供的稳定输出对功分振荡器进行基频注锁,使固态源的频率稳定度达2×10~(-6)。     

仪表放大器电路

把本电路接到音频放大器的扬声器输出,从小功率(0.01W/8Ω左右)到大功率时(200W/8Ω),都可以不要变换仪表量程的具有对数特性的峰值电平仪表电路。仪表使用他激动圈式直流表。表1列出了指针的最大偏转角为90°时,与放大器输出相对应的指针偏转角的例子。所用仪表的电流灵敏度,在100W/8Ω(0dB)点为1700μA,在10W/8Ω(-10dB)点为1070μA。     

使用介质谐振器反馈电路的C波段GaAsFET振荡器

采用低噪声场效应晶体管,研制出一种高稳定度的小功率场效应管振荡器。它采用了介质谐振器作并联反馈电路,并加有稳定电阻。研制工作表明,这种振荡器具有大于1000的外部Q_(es)值,可在无滞后的情况下工作,并具有高的稳定性和宽的频率调谐范围。在5.5GHz频率上,输出功率为10mw,效率为25％,调谐带宽大于500MHz。在-40℃～十70~C温度范围内频漂小于±0.6MHz,频温系数小于±l PPM/℃。     

晶体管阵列的热控制电路

本电路可提供非常精确的温度补偿.实际上,这是一种闭环热控制系统,使用一块CA3046型集成块.CA3046是由5个npn晶体管构成的阵列,其中三个晶体管提供热控制,其余两个用作对数放大器或对数电流汇集器.R-1的调整应使得,当CA3046的芯片温度为60℃(超过最高的预期环境温度)时,Q_5流过1mA的集电板电流.R_4阻值的选择应使得.在I_(C5)=1mA时,Q_5的集电极电压接近0伏.V_(C5)与0伏的偏离实际上是一个误差信号,说     

一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源

介绍了一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源,给出了系统组成与工作原理,提供了其主要部件W频段固态Gunn驱动源、W频段波导-微带转换器、主放大器芯片基本性能及实验测试结果。该固态毫米波源工作频率94 GHz,输出连续波功率大于300 mW,线性增益10 dB,附加效率（PAE）大于16%.在W频段固态毫米波源研制过程中,其单片微波集成电路（MMIC）功率放大器半导体材料选择经历了GaAs、InP到GaN演变,结果清楚表明,W频段毫米波源的GaN MMlC功率放大器输出功率、增益、效率、高温性能要优于其他固态MMIC功率放大器性能。W频段大功率固态GaN MMlC技术将在毫米波领域带来新的技术革命和应用。     

C波段四管功率合成体效应振荡器

本文介绍一种四管功率合成体效应振荡器。这种功率合成器结构简单、体积小、重量轻,适合于空间电子设备使用。振荡器最大功率输出为1.2—1.5W,功率合成率近100%,直流—微波转换效率达3.8%。功率合成器采用了双金属结构和介质加载的“综合”补偿法,相对频温系数达到2×10~(-5)/℃。工作在注入锁定状态,增益为16db时锁定带宽为40MHz。     

整形偏馈双反射器天线

本文介绍了用几何光学法对偏置双反射器天线的整形设计。由对称馈电喇叭发出的射线管的射线经反射后转换成具有均匀相位的圆波束,并且在口径上形成具有规定的径向功率分布。在本设计中,在主反射器上没有用斯耐尔定律。在这种近似解的基础上,用计算机对主反射器直径为5.5米的基本系统进行了计算,得到了很满意的结果。这样设计的系统不仅得到很低的旁瓣,而且还达到了很高的口径效率。估计在12GC时口径效率达到84%,尽管在主反射器边缘电平要满足-10分贝这一准则的苛刻约束条件。     

新颖应用电路·实用电路集(ANP.639～641)

639 1 0～ 1 0 0 0ＭＨｚ振荡器如今不再用分离元件制造振荡器 ,许多生产厂家只用几个固定频率的进口元件提供现成的压控振荡器 (ＶＣＯ)集成电路。ＲＦＭｉｃｒｏＤｅｖｉｃｅｓ公司生产的ＲＦ2 50 6就是其一。该集成电路的工作电压为 2 .7～3.6Ｖ(额定电压为 3.3Ｖ) ,它提供低噪声振荡器晶体管 ,并附加直流偏置。另外 ,它还有一个绝缘的缓冲放大器 ,大大降低了负载变化 (拔掉负载 )对振荡器的影响。如果使能输入端 (管脚 8)的电压低于 0 .7Ｖ ,该振荡器会关闭 ,消耗电流从 9ｍＡ降到低于 1μＡ。当管脚 8的电压大于 +3.0Ｖ时 ,会启动ＶＣ…     

宽频鉴相器

现已研制出一种频率范围为20Hz至100KHz、具有稳定余弦响应、由四个二极管组成的桥式鉴相器。它是工作于此频率范围的实验锁相滤波器的组成部分之一。由六个晶体管的电路激励这个二极管电桥。不是采用常见的带有中心抽头的变压器,而是由宽带电阻性T型相加网络将信号和参考输入馈到电桥。输出是对地平衡的;输出电路的输入阻抗是600,000Ω。电源电压为50伏时,总的功耗是135毫瓦。所作的分析表明,输出端的余弦响应是:当π为奇数时E_(out)=-1.28E_s(cosπa)/ππ;当π为偶数时Eout=0这里E_s为信号输入有效值,α是输入参考电压的信号频率对参考频率的整数比。在信号电平为1伏和参考电平为5伏的情况下,典型的最大余弦响应是450毫伏。在整个30Hz至100KHz工作范围内,任意两条余弦曲线之间测得的最大变化不超过20毫伏。在0℃到50℃的温度范围内,在50KHz频率上测得的余弦曲线的变化不超过20毫伏。     

负反馈高效率交流稳压器

一种能够工作于电网送电,具有优良的调整率和相当的功率处理能力的交流稳压器,借助于负反馈电路达到高效率是可以实现的。只要用少量的附加电路就很容易使实际效率高达95%,调整率优于0.02%。为了说明这种电路,制造了一台样机,其输入电源V_(in)波动的有效值在115伏—140伏之间,输出电压V_o的有效值为111伏、50Hz,负载电阻为137Ω,输出功率为90瓦。当输入电压处于下限时的效率为96.5%,当处于上限时下降到79.3%,给出的平均效率为88%。输入电压有25伏波动时,输出电压有效值仅变化0.1伏,因此,稳定度为0.4%。这种电路除用在电视机、电冰箱和小型电动机中作稳压器外,在温度控制器和速度控制器等许多系统中,最适宜作为一种通用的控制元件。