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硅酸铁锂是一种锂离子电子的正极材料,由于其晶胞在理论上可允许可逆脱嵌两个锂原子,使得其理论比容量有巨大的提升空间,加上原料易得、无污染及成本低的优势,受到了人们的重视。正极材料掺杂被认为是改善其导电性能的有效途径。论文通过运用基于第一性原理方法的计算机仿真技术,对铬掺杂硅酸铁锂的结构和导电性能的影响进行了计算机仿真研究,结果表明未掺杂的硅酸铁锂其带隙快读为2.44eV,掺杂铬之后硅酸铁锂带隙减小为2.31eV,表明铬掺杂可提高硅酸铁锂的导电性能。 相似文献
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针对制备纳米锑掺杂氧化锡颗粒产生团聚的问题,以溶胶-凝胶法为例,介绍了防团聚的几种措施:加入表面活性剂、有机溶剂洗涤、共沸蒸馏、冷冻干燥等,并分别对其进行了评述. 相似文献
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本文讲述了tio2的一些常用制备方法.致力于提高纳米tio2的光催化活性、揭示掺杂改性的作用机理.针对目前光催化技术应用中存在的诸如tio2光催化量子效率低、吸收利用波长范围有限等问题,使用过渡金属离子和稀土元素通过湿溶液浸渍法对纳米tio2进 行了掺杂改性研究,采用x-射线衍射(xrd)、紫外-可见浸反射光谱(uv-vis)测试手段对各种改性纳米tio2进行物性表征.通过掺杂离子降解溶液中的染料罗丹明b的效果进行了评价. 相似文献
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