铬掺杂对硅酸铁锂电学性能影响的计算机仿真研究

硅酸铁锂是一种锂离子电子的正极材料,由于其晶胞在理论上可允许可逆脱嵌两个锂原子,使得其理论比容量有巨大的提升空间,加上原料易得、无污染及成本低的优势,受到了人们的重视。正极材料掺杂被认为是改善其导电性能的有效途径。论文通过运用基于第一性原理方法的计算机仿真技术,对铬掺杂硅酸铁锂的结构和导电性能的影响进行了计算机仿真研究,结果表明未掺杂的硅酸铁锂其带隙快读为2.44eV,掺杂铬之后硅酸铁锂带隙减小为2.31eV,表明铬掺杂可提高硅酸铁锂的导电性能。     

有机掺杂的TiO2-SiO2复合薄膜的光学性能

在TiO2-SiO2溶胶-凝胶体系中掺杂表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵CTAB，采用溶胶-凝胶技术，通过简单提拉迅速蒸发溶剂、后期热处理去除表面活性剂的方法制备出具有纳米结构的有机掺杂TiO2-SiO2复合光学薄膜。利用红外光谱（IR）研究掺杂薄膜表面结构特征；紫外分光光度计UV—VIS—NIR研究不同实验条件下制备的复合薄膜吸收透过性的影响；利用反射式椭圆偏振光谱仪（ELLIP）测试薄膜的椭偏参数及Cauchy模型对椭偏参数进行计算机数据拟和，获得了掺杂的TiO2-SiO2复合薄膜光学常数在300—700hm波长范围的色散关系。     

掺铈二氧化钛纳米膜光催化降解焦化厂废水研究

以四氯化钛乙醇溶液为前驱体,采用溶胶——凝胶法在普通的玻璃管上制备了掺铈TiO_2纳米膜,并用此薄膜作了焦化厂废水光催化降解实验,得出了该光催化降解反应的有利条件。     

PBSZT大功率压电陶瓷介温特性的研究

为制备高性能、低损耗、高居里温度适于大功率应用的PZT基压电陶瓷,对Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sr1/3 Nb1/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3 0.5%Mn(NO3)2(质量分数)体系材料进行Sb2O3掺杂改性.结果表明,随着掺杂量增加,居里温度和介电常数均降低.而再添加ω(CeO2)=0.7%,掺杂后能得到较高的介电常数(εr=1783),更低的介电损耗(tanδ=0.41%)和较优的压电性能(d33=294),能满足大功率应用的要求.     

特高压晶闸管掺杂技术研究

特高压晶闸管半导体芯片主要通过掺杂技术形成。高均匀性、高寿命掺杂技术是获得高品质特高压晶闸管的根本保证。本文通过一系列大胆的创新方法和先进"6σ设计[1]"的控制措施,成功研制了世界上首只6英寸4000A/8000V特高压晶闸管,并成功应用于"向家坝-上海±800KV/6400MW"特高压直流输电示范工程中。     

溶胶-凝胶法制备锑掺杂氧化锡纳米粉体

锑掺杂二氧化锡(antimony-doped tin oxide,ATO)是优良的催化剂,具有良好的导电性和高温稳定性。采用溶胶-凝胶法制备ATO纳米粉体,并对其进行结构分析和性能表征。以金属锡粉和三氧化二锑为金属原料,制备得到柠檬酸锡、锑的配合物溶液,向其中加入乙腈,产生溶胶-凝胶过程。对洗涤后的凝胶进行不同温度热处理,得到锑掺杂氧化锡纳米粉体。随着锑掺杂量的增加,纳米粉体的晶粒减小,比表面积增加,晶胞参数也发生相应变化。随着热处理温度的升高,纳米颗粒长大,比表面积减小,高锑掺杂量的氧化锡纳米粉体显示出结晶性下降的趋势。