SiC功率器件

本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ（碳化硅）的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ和ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势     

简析DMAIC在改善晶体管Bond-ply装配质量中的应用

21世纪是"质量的世纪",质量已经成为企业发展的主题,成为企业能否在激烈的市场竞争中得以生存的决定性因素。文章以改善电子装配产业的晶体管Bond-ply过程质量为例,简要阐述了如何应用六西格玛质量管理的DMAIC工具解决制造过程中的实际问题,对国内企业如何实施六西格玛进行指导,对促进中小企业持续健康发展和提升公司的竞争力提供借鉴。     

热敏传感器的现状与发展

热敏传感器品种繁多，用途广泛。本文根据热敏传感器优质性能的判据，着重对陶瓷热敏电阻型及晶体管型热敏传感器的概况、现状与发展分别进行了分析讨论。     

硅谷前传

硅谷扬名立万的过程虽说是一部创业英雄史，它其实也是一部高科技发展史。在计算机革命之前，它见证了无线电的兴起，真空管的诞生及发展。真空管过渡到晶体管的科技发展历程中，硅谷是最重要的发生场地。     

英特尔3D晶体管“撼动”ARM？

在晶体管诞生了64年之后，英特尔于本月发布了一项革命性创新——22纳米3D晶体管技术，自此，晶体管结构将从平面走向立体。     

未来20 年——微型芯片突破极限的关键期 等

2010年1月出版的《科学美国人》杂志报道：芯片自诞生之日起，在制造业技术的发展下，其体积就不断减小，运行速度更快，经济上也更便宜，为人类的生活提供了巨大的便利。但当晶体管发展到只有数十个原子大的时候，无法回避的问题出现了，晶体管的紧密排列将会更加昂贵，而且晶体管反复启动所产生的热量将会损坏自身的工作性能，因此在如今的计算机配置中才会出现双核设计，以降低热量对CPU的影响。     

摩尔定律

1958年，第一个锗管工作集成电路由德州仪器公司（Texax Instruments）的杰克·基尔比（Jack Kilby）实现的。该模型有一个连接两根金质导线的晶体管（左边的小点）和一个电容（中间的黑点）。锗管被固定在一个玻璃片上，通过底部的标档被三个电阻分割，通过显示三种器件都能在相同规模的锗管下工作，基尔比提出了一个改进性能和降低电子设备成本的方法。     

英特尔：创新带来的绿色计算

英特尔创始人戈登-摩尔曾经说过，相同面积集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。正是在这条摩尔定律的指引下，英特尔公司通过科技创新不断地提高CPU的性能功耗比，实现着“绿色计算”的口号。     

石墨烯晶体管真的要来了吗?

正研究人员聪明地利用DNA,发现了一种可以制造出超高效电路的可能方法。引述"我讨厌愚昧。而身体不健康就是很大的愚昧,因为我们知道应该怎么做。"——埃斯特·戴森(Esther Dyson)解释她为何会投资创业公司利用技术让人们更好地了解自己的健康。一种生长石墨烯的新方法可以让这种卓越的材料制造出性能大幅超越现有产品的电子设备。石墨烯是一种碳的单元子层材料,于2004年被首次发现。它可以提高集成电路的性能,因为电子在石墨烯中的流动速度远     

双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善

在通讯或雷达系统的设计应用中,常常以硅功率晶体管作为接收微波频率的主要器件,而且为了能够更好的获取微波频率,一般是对晶体管的芯片进行高密度压缩设计,即在最小的集电结面积中安排最长的发射极周长。这种设计方法虽然可以使晶体管芯片的结构得到很大改善,但在工作运行中,却很容易使芯片出现高温现象,极大的影响了输出功率,甚至还可能将器件烧毁。而只有降低工作结温,才能保证硅功率晶体管的正常使用,提高其可靠性,延长其使用寿命。现主要是通过改进芯片设计,以双层金属电极替换普通的单层金属电极,以此来改善晶体管的结温,增大微波功率分布的均匀性。