浅析Cu互连化学机械抛光液发展趋势及技术挑战

随着集成电路器件特征尺寸不断缩小,硅片尺寸不断增大,IC工艺变得越来越复杂和精细.为了提高器件的可靠性和使用寿命,芯片金属互连由铝互连向铜互连转移.而且对表面质量提出了更高的要求,要求表面必须进行全局平坦化,而铜互连化学机械抛光(CMP)是目前唯一能够实现芯片全局平面化的实用技术和核心技术.CMP一种将纳米粒子的研磨料作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来达到全局平坦化技术,而铜互连化学机械抛光液(Slurry)又是Cu互连CMP的关键要素之一,其性能直接影响CMP后表面的质量.文章将讨论Cu互连优势,Cu互连CMP工艺,铜互连CMP抛光液工作机理,最后浅谈未来Cu互连CMP可能遇到的技术挑战和抛光液所对应的发展趋势.     

铝阳极氧化加工处理中抛光液的配制

抛光液是铝阳极氧化处理工艺出光工序中使用的一种重要溶液,经过其预处理后,对铝制品表面进行再处理可提高光洁度,从而保证铝阳极氧化后有高镜面的表面质量。准确配制抛光液,确定和控制磷酸、硫酸及添加剂比例非常关键。文章论述了经过试验确定的组分及对应的含量,进而保证生产中对铝制品的加工需求。     

金刚石在6H-SiC单晶片游离磨料化学机械抛光中的影响

本文通过试验研究了抛光液中金刚石磨料粒径对SiC单晶片去除率和表面质量的研究.试验中选用五种不同粒径的金刚石磨料,分别配制了含磨料的水抛光液和化学试剂抛光液.抛光加工后,分别比较相同抛光液不同粒径和相同粒径不同抛光液对6H-SiC单晶片的去除率和粗糙度的影响.