含胺基聚芴类共轭高分子PFN及其衍生物作为发光二极管电子注入层的研究进展

共轭聚合物[9,9-二辛基芴-9,9-双（N,N-二甲基胺丙基）芴]（PFN）及其电解质衍生物具有与高功函数金属形成有效电子注入的能力,可以用作电子注入层与高功函数金属（如Al、Au等）组成复合阴极,应用在聚合物发光二极管（PLED）中。这类含新型复合阴极的PLED器件具有与目前广泛应用的低功函数金属（如Ba、Ca等）器件相同甚至更高的发光效率。该类电子注入型共轭聚合物及其前驱体只溶解于水、醇等极性溶剂中,而不溶于发光聚合物所易溶的非极性溶剂如甲苯、二甲苯或导电胶所含溶剂,这种特殊的性质可以保证电子注入层与发光层、电子注入层与导电胶层之间在印刷时不会发生互溶而被侵蚀的现象,使得利用高功函数金属的导电胶通过涂覆方式制备PLED的阴极并实现全印刷制造发光器件成为可能。目前,此类高分子材料合成及器件化已成为有机电子学研究的热点之一。本研究论述了国内外在以实现全印刷PLED为目标,以PFN及其衍生物作为电子注入材料方面的研究进展。     

W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计

基于自主研发GaAs肖特基二极管（SBD）设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频（RF）信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT（赝晶型高电子迁移率晶体管）混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。