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| 浅析电涌产生及电涌保护 | |
| 引用本文： | 万军令,姜学智,徐宏磊,董泸锴,方政,潘伟,薛汝和.浅析电涌产生及电涌保护[J].中国高新技术企业评价,2009(20):181-181,184. |
| 作者姓名： | 万军令 姜学智 徐宏磊 董泸锴 方政 潘伟 薛汝和 |
| 作者单位： | 山东黄金集团三山岛金矿机电组,山东,莱州,261400 |
| 摘 要： | 随着微电子技术快速发展,半导体器件集成化不断提高,元件间距在减小,半导体厚度在变薄。电子设备受到瞬态过电压破坏的可能性越来越大。外部电涌和内部电涌过电压成为电子设备损坏和工作中断的主要因素。文章论述了电涌的产生及电涌保护。 |
| 关 键 词： | 电涌 电涌保护器 保护模式 MOV构成 MOV的指标 |
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