| W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计 |
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| 引用本文： | 郭 栋,刘晓宇,赵 华,王 溪,周静涛.W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计[J].国际商务研究,2018,58(11). |
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| 作者姓名： | 郭 栋 刘晓宇 赵 华 王 溪 周静涛 |
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| 作者单位： | 1.中国科学院 微电子研究所，北京 100029；2.中国科学院大学，北京 100049,电子科技大学 电子科学与工程学院，成都 710071,中国科学院 微电子研究所，北京 100029,1.中国科学院 微电子研究所，北京 100029；2.中国科学院大学，北京 100049,中国科学院 微电子研究所，北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61601468);中央高校基本科研业务费项目中国民航大学专项(3122017087);中国民航大学科研启动基金项目(2016QD01X) |
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| 摘 要： | 基于自主研发GaAs肖特基二极管（SBD）设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器，实现了对射频（RF）信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流，实现了宽频带内的射频信号混频，并基于此通过HFSS和ADS联合仿真，完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示，采用45 GHz信号作为本振信号源，射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB；1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示，80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显，最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT（赝晶型高电子迁移率晶体管）混频器，所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下，具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点，芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。
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| 关 键 词： | W频段 谐波混频器 I/Q调制 GaAs肖特基二极管 |
Design of a second harmonic I/Q mixer in W-band |
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| GUO Dong,LIU Xiaoyu,ZHAO Hu,WANG Xi and ZHOU Jingtao.Design of a second harmonic I/Q mixer in W-band[J].International Business Research,2018,58(11). |
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| Authors: | GUO Dong LIU Xiaoyu ZHAO Hu WANG Xi and ZHOU Jingtao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | W-band sub-harmonic mixer I/Q modulation GaAs Schottky diode |
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