铁电薄膜存储器存储特性测试仪的研制

铁电薄膜存储器具有开关速度快，工作电压低，存储密度高，工作温度范围大，耐辐射和非挥发性等优点。因此对铁电薄膜存储器(FRAM)的开发和研究引起了世界范围的关注。铁电薄膜具有记忆特性是因为铁电体上有电滞回线，因此，直接测试铁电薄膜双向极化后剩余极化的差别。是其它性能测试不能替代的。我们研究设计了铁电薄膜存储器存储特性测试仪，用于铁电薄膜的主要性能指标的检测。实际应用表明，该仪器能够对铁电薄膜存储器进行各种“读／写”操作。利用它对Au／BIT／PLZT／BIT／n-Si铁电薄膜进行性能测试，发现其具有记忆特性和非挥发性。这些实验结果证明了．我们设计的铁电薄膜存储器存储性能测试仪对铁电薄膜存储器的研究是具有实际意义的工具。