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| 低压化学气相淀积设备使用与维护技术 | |
| 引用本文： | 谭刚,吴嘉丽,李仁锋.低压化学气相淀积设备使用与维护技术[J].设备管理与维修,2005(Z1). |
| 作者姓名： | 谭刚 吴嘉丽 李仁锋 |
| 作者单位： | [1]中国工程物理研究院电子工程研究所传感器研究中心 [2]中国工程物理研究院电子工程研究所传感器研究中心 四川 绵阳 [3]四川 绵阳 |
| 摘 要： | LPCVD 是大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)以及半导体光电器件工艺领域里的主要工艺之一。PCVD 技术可以提高淀积薄膜的质量,使膜层具有均匀性好、缺陷密度低、台阶覆盖性好等优点,成为制备 Si_3N_4薄膜的主要方法。热壁 LPCVD 设备使用过程中出现薄膜的淀积速率、薄膜的均匀性、片内均匀性、片间均匀性不理想等问题,提出解决办法。 |
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