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FDI技术外溢是否存在“门槛条件”——来自我国高技术产业的面板门限回归分析
引用本文:余泳泽.FDI技术外溢是否存在“门槛条件”——来自我国高技术产业的面板门限回归分析[J].数量经济技术经济研究,2012(8):49-63.
作者姓名:余泳泽
作者单位:南京财经大学江苏产业发展研究院
基金项目:教育部博士研究生学术新人奖暨专款资助;教育部哲学社会科学重大课题“全球金融危机对我国产业转移和产业升级的影响及对策研究”(09JZD0018);江苏高校优势学科建设工程项目的资助
摘    要:本文在已有研究的基础上,认为在FDI技术外溢过程中存在着一定的"门槛条件",并基于"技术势能"假说,利用我国高技术产业数据进行实证检验。实证结果表明,外商投资规模、技术势能与潜在市场规模对FDI技术外溢的影响都具有一定的"门槛条件",只有三者在适度值范围内技术外溢积极而显著,并且与技术外溢存在着倒"U"形曲线关系。随着时间的变化,技术外溢的"门槛条件"有所提高,外溢效应有所降低。

关 键 词:FDI  技术外溢  “门槛条件”  高技术产业

Is There a "Threshold Condition" in FDI Technology Spillover
Abstract:
Keywords:
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