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| 韩国三星登上半导体芯片的最高峰 | |
| 作者姓名： | 秦泰如 |
| 摘 要： | 韩国三星电子公司开发成功世界上第一个典型电路设计10亿比特同步式动态随机存取存储器(DRAM)芯片,开创了半导体存储器和多媒体支持技术的新纪元。 这一超级存储器的数据处理速度为31毫微秒,记读率为每秒10亿位组。与常规的DRAM不同,该器件能调节新型的、更大容量的微处理机工作,从而适合服务于环境复杂的多媒体技术。该器 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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