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K离子弱掺杂ZnO薄膜的光电性能研究
引用本文:艾国齐,汪延明,苗振林,袁章洁.K离子弱掺杂ZnO薄膜的光电性能研究[J].科技与企业,2015(3):207-208.
作者姓名:艾国齐  汪延明  苗振林  袁章洁
作者单位:湘能华磊光电股份有限公司 郴州 432000
摘    要:本实验通过在玻璃衬底上,采用溶胶-凝胶法制备K+、Mg2+共掺杂Zn O薄膜,固定K+与Zn2+摩尔比,改变Mg2+的掺杂含量,实验表明随着Mg2+掺杂量增加,薄膜的致密性更好,透光率不断提高,说明薄膜随着Mg2+浓度增加,结晶性能提高,Mg2+的掺入有利于薄膜的结晶,掺入薄膜中的离子浓度增大,从而增大了载流子浓度,但是当浓度过高时,过多的Mg2+进入间隙位会阻碍离子的运输,不利于薄膜的择优取向生长。

关 键 词:玻璃衬底  溶胶-凝胶法  Zn  O薄膜  择优取向
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