K离子弱掺杂ZnO薄膜的光电性能研究 |
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引用本文: | 艾国齐,汪延明,苗振林,袁章洁.K离子弱掺杂ZnO薄膜的光电性能研究[J].科技与企业,2015(3):207-208. |
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作者姓名: | 艾国齐 汪延明 苗振林 袁章洁 |
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作者单位: | 湘能华磊光电股份有限公司 郴州 432000 |
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摘 要: | 本实验通过在玻璃衬底上,采用溶胶-凝胶法制备K+、Mg2+共掺杂Zn O薄膜,固定K+与Zn2+摩尔比,改变Mg2+的掺杂含量,实验表明随着Mg2+掺杂量增加,薄膜的致密性更好,透光率不断提高,说明薄膜随着Mg2+浓度增加,结晶性能提高,Mg2+的掺入有利于薄膜的结晶,掺入薄膜中的离子浓度增大,从而增大了载流子浓度,但是当浓度过高时,过多的Mg2+进入间隙位会阻碍离子的运输,不利于薄膜的择优取向生长。
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关 键 词: | 玻璃衬底 溶胶-凝胶法 Zn O薄膜 择优取向 |
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