我国半导体材料研究及产业化获新突破

由北京有色金属研究总院承担的“ 0.5～ 0.6μ m IC用 8英寸硅单晶抛光片研制”及“蒸气压控制直拉法生长半绝缘 GaAs单晶新技术研究”,日前通过了国家有关部门组织的专家验收。该成果不仅填补了我国在大直径硅抛光片制造领域的空白,而且为 8英寸硅抛光片的产业化提供了关键技术和设计依据,现已应用在“直径 200m m硅单晶抛光片产业化示范工程”上。目前,直径 8英寸硅片的市场占有率已超过50％,随着新的半导体技术在 8英寸硅抛光片上的实现,其作为主流产品的应用期限将进一步延长,显示出强劲的生命力。