过热区对晶体生长界面特征的影响研究 |
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引用本文: | 鲁敏,童正明,祁非白,许敏,周清童.过热区对晶体生长界面特征的影响研究[J].中国高新技术企业评价,2010(3). |
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作者姓名: | 鲁敏 童正明 祁非白 许敏 周清童 |
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作者单位: | 上海理工大学能源与动力工程学院; |
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摘 要: | 长晶过程中,成晶质量与晶面形状有直接的关系,形成凸或水平的晶面有助于得到高质量的晶体。文章采用布里奇曼法,利用数值计算,运用移动网格模拟晶面的演化过程,得出不同的过热区域对晶体生长的流场分布的影响。
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关 键 词: | 过热区 数值模拟 移动网格 晶体生长 界面特性 |
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