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自主研发、 技术溢出与区域创新
引用本文:雷海,朱明侠.自主研发、 技术溢出与区域创新[J].工业技术经济,2018,37(5):119-128.
作者姓名:雷海  朱明侠
作者单位:对外经济贸易大学国际经济贸易学院, 北京  100029
摘    要:根据 2000~2016 年中国大陆 31个省的面板数据, 本文探讨了自主研发、 技术溢出对区域技术创新的影响, 实证结果表示: (1) 自主研发与技术溢出是我国区域技术创新的主要途径, 目前我国各省技术创新存在差距, 且从长期变化趋势看差距呈扩大趋势; (2) 地理因素对区域创新能力存在显著影响,R&D 吸收能力、FDI 技术溢出对创新的影响程度与人力资本高度相关, 且自主研发相比FDI 技术溢出对技术创新的影响更加显著; (3)FDI 技术溢出对技术创新的影响存在双门槛效应, 即当人力资本处于充足或稀缺阶段时,FDI 技术溢出对技术创新的影响往往更明显;R&D 吸收能力影响技术创新存在单门槛效应, 即人力资本越多,R&D 吸收能力对技术创新的影响越显著。 因此应提高制定人才激励政策并减少地区差异, 从而使我国经济更加平稳健康的向前展。

关 键 词:自主研发(R&  D)  FDI技术溢出  PSTR模型  人力资本  技术创新  门槛效应  
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