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| 一种低功耗K频段低噪声放大器 | |
| 引用本文： | 赵晓冬.一种低功耗K频段低噪声放大器[J].国际商务研究,2021,61(5). |
| 作者姓名： | 赵晓冬 |
| 作者单位： | 中国西南电子技术研究所，成都 610036 |
| 摘 要： | 基于0.13 μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺，设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)，通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化电感，降低了LNA噪声。实测结果表明，在1.6 V偏置条件下，该LNA在20 GHz的噪声系数等于1.94 dB，输入1 dB压缩点等于-29.6 dBm；18~21.3 GHz频率范围内，LNA增益大于23.3 dB，S11和S22均小于-10 dB。包含偏置电路功耗在内，芯片功耗仅21 mW，优于其他同等噪声系数的K频段SiGe BiCMOS LNA。该LNA可应用于卫星通信等K频段低功耗接收机系统。 |
| 关 键 词： | 卫星通信 K频段低噪声放大器 低功耗 高品质因数硅通孔电感 |
A K-band low noise amplifier with low power consumption |
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| ZHAO Xiaodong.A K-band low noise amplifier with low power consumption[J].International Business Research,2021,61(5). | |
| Authors: | ZHAO Xiaodong |
| Institution: | Southwest China Institute of Electronic Technology,Chengdu 610036,China |
| Abstract: | |
| Keywords: | satellite communication K-band low noise amplifier low power consumption high-Q through silicon via inductor |
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