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| 浅谈黑硅制备技术 | |
| 引用本文： | 杨福.浅谈黑硅制备技术[J].大陆桥视野,2017(18). |
| 作者姓名： | 杨福 |
| 作者单位： | 青海聚能电力有限公司 |
| 摘 要： | 长期以来,多晶硅电池表面反射率较高的难题一直得不到有效解决,制约了电池效率的进一步提升.湿法黑硅技术成功解决了这一难题,突破了这方面的效率限制.常规多晶电池的表面反射率高3％～5％(绝对值),降低表面反射率是提高多晶电池效率的关键.成本方面,单晶硅片受益于金刚线切割工艺的推广,成本大幅下降,而多晶硅片金刚线线切的推广受制于电池制绒工艺的匹配,具体讲,金刚线线切多晶硅片使用常规制绒工艺后,反射率更高并有明显的线痕等外观缺陷,严重降低电池效率1].湿法黑硅技术完美的解决以上问题,既能提升电池效率又能降低电池成本,是多晶电池继续进步的必由之路. |
| 关 键 词： | 湿法黑硅电池 金刚线切割 表面反射率 |
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