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Sr掺杂PbTiO3陶瓷致密化及其介电性能研究
引用本文:张海宁,陆中.Sr掺杂PbTiO3陶瓷致密化及其介电性能研究[J].城市建设,2009(18).
作者姓名:张海宁  陆中
作者单位:1. 常州轻工职业技术学院,江苏,常州,213164
2. 江苏工业学院,江苏,常州,213164
摘    要:采用高温-高压法(HPHT)合成了Sr掺杂PbTiO3(Pb1-xSrxTiO3简称为PSTO)体陶瓷,利用XRD、阿基米德法、阻抗分析等手段研究了Sr掺杂量(x=0.1、0.3、0.5、0.7)、氧处理工艺(温度、时间)对不同高压合成条件下的PSTO样品的晶体结构及其介电性能的影响;实验结果表明采用高压低温法可以制备出达到理论密度92%以上的Sr掺杂PbTiO3(Pb1-xSrxTiO3)体陶瓷.在居里温度以下随着x的增大,样品的c轴减小而a(b)轴增大,c/a减小,晶胞体积收缩.而随着x的增大,晶体的相对介电常数εr呈上升趋势.短时间退火可以改善高压合成样品的介电性能.

关 键 词:高温-高压  Sr掺杂PbTiO3(PSTO)  介电性能
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