全国重点大型零售商场一月销售排行榜——燃气热水器

自身保护性能。电磁灶的关键元件——输出开关晶体管工作于超高压、大功率状态．限于产品成本和器件的参数水平，设计时不可能留有很大的余量，故在工作过程中，在电源电压超过正常范围，切换电源时产生的暂态冲击、负载过重、机内温升高、铁锅离开灶板或空载时．输出开关晶体管都可能因超出极限工作条件而被毁坏：因此，保护装置的功率是使用电磁灶的基本保证。保护装置主要有过压、过流、过热等几种。     

S模式二次雷达发射机设计

随着微波晶体管技术的成熟与应用,越来越多的雷达发射机使用采用微波晶体管技术的固态发射机,尤其是在低频段雷达发射机中,采用微波晶体管技术的固态发射机基本上已经代替真空管发射机在低频段雷达中广泛应用。S模式二次雷达发射机采用的是固态雷达发射机,本文简单介绍S模式二次雷达固态发射机的系统组成、工作原理及设计方法。雷达发射机的核心部件是发射组件,在本文中重点介绍发射组件的设计。     

半导体硅片清洗工艺的发展研究

在硅晶体管和集成电路生产中,几乎每道工序都有硅片清洗的问题,硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响,处理不当,可能使全部硅片报废,做不出晶体管来,或者制造出来的器件性能低劣,稳定性和可靠性很差。因此弄清楚硅片清洗的方法,不管是对于从事硅片加工的人,还是对于从事半导体器件生产的人来说都有着重要的意义。     

功率温度循环测试对于半导体分离器件的可靠性评估

随着半导体技术的发展,半导体器件的功能复杂程度、耐压等级、最大结温都在迅速提高,而产品的外形尺寸为适应不同应用领域的需要却在不断缩小。器件内部框架、晶片都将承受更多的外部应力和信号输入的冲击。为保证产品达到设计使用寿命,在产品的审验阶段,要求尽可能地模拟器件在极度不良条件下的可靠性能力。本文就功率温度循环实验的应用作一讨论。     

基于DDS驱动PLL结构的Ka波段频率合成器

随着通信技术与信息技术的不断发展,为了使频率资源能够得到充分的应用,现代通信、雷达以及导航系统等,其工作频率已逐渐由微波波段向毫米波波段发展,而毫米波频率合成器作为这些系统的主要部分,其性能好坏与系统的整体性能息息相关。另外,随着上述各系统的工作频段逐渐向毫米波波段发展,毫米波频率合成器的需求也得到了急剧的增长。文章将介绍一种单片机控制的主要由直接数字频率合成器(DDS)、锁相环(PLL)以及倍频器等组成的频率合成技术来实现Ka波段频率合成器的方案,以及其电路仿真的设计。     

CMOS集成电路电阻的应用探析

在集成电路的设计中，电阻器不是主要的器件，却是必不可少的。如果设计不当，会对整个电路有很大的影响，并且会使芯片的面积很大，从而增加成本。电阻在集成电路中有极其重要的作用。他直接关系到芯片的性能与面积及其成本。讨论了集成电路设计中多晶硅条电阻、MOS管电阻和电容电阻等3种电阻器的实现方法。     

简易数字频率计的设计

本设计主要选择以集成芯片作为核心器件,设计了一个简易数字频率计,以触发器和计数器为核心,由信号输入、隔直,触发、计数、数据处理和数据显示等功能模块组成。放大整形电路:对被测信号进行预处理;闸门电路:攫取单位时间内进入计数器的脉冲个数;时基信号:产生单位时间信号;计数器译码电路:计数译码集成在一块芯片上,计单位时间内脉冲个数,把十进制计数器计数结果译码输出驱动数码管;显示:把BCD码译码在数码管显示出来。设计中采用了模块化设计方法,采用适当的放大和整形,扩大了测量频率的范围。     

一种应用I2C器件的温度测量仪

I2C器件是一种体积小、功能强、使用方便的器件，它仅通过一根数据线和一根时钟线就可完成与单片机的数据交换，外接元器件较少，减小了仪器的体积，这对于便携式仪器来说极为重要。由于它的这些特点，使其在仪器设计及家电设计中都有很好的应用。本文介绍一种温度测量仪器，这种仪器中应用了X1228串行I2C时钟芯片以及X24C256串行I2C存贮芯片。     

我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世

<正>近日,我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先进水平。碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性,是新一代雷达系统的核心。长期以来,碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化     

半导体行业的排头兵

<正> 一、概况信息产业部电子第十三研究所,1956年筹建于北京,1963年迁至石家庄。经过45年的发展,已经建成一个以半导体技术研究为主,涵盖微电子技术、光电子技术领域,规模大,技术力量雄厚,专业结构配套,学科设置合理的国家级综合性微电子、光电子研究所。十三所现有在职职工1230余人,其中工程技术人员900人,中国工程院院士1人,国家级科学家3人,研究员级高工32人,高级工程师300人,工程师350人。全所设置有砷化镓超高速集成电路和功率器件国防科技重点实验室,8个专业部,7个研究室,5条中试线。每年承担大量国家重点工程项目和基础技术研究、国家科技攻关、863、国家自然科学基金等多项国家重点攻关任务。十三所研究开发的主要内容包括:微波和毫米波半导体器件(硅和砷化镓),砷化镓集成电路,光电子器件和光电集成,CCD和红外信号处理电路,场控电力电子器件和模块,微波集成部件和小整机,量子器件、微电子机械器件,     

钢铁样品中硅的测定及其分析

钢铁是通过铁矿石冶炼而成的,在其冶炼过程中很难对其中的硅进行百分之百的分离,这就导致硅成为钢铁样品中的一个组成部分。钢铁样品中硅的存在一方面增大了钢铁的可淬性,另一方面使钢铁的稳定性和腐蚀性发生了相应的变化。本文将采取密闭微波消解法对钢铁样品中的硅进行测定并进行相应的分析。     

大功率逆变系统中功率器件开关损耗的优化算法研究

本文首先建立功率器件的开关动作模型，以保持系统动态性能和控制特性不变为前提，进行优化算法的有关推导研究，最后以DSP28335作为仿真平台进行验证，实现功率器件开关频率降低，继而降低开关损耗的目的，证实了算法的正确性。     

IGBT驱动及保护在产品上的实现

在实际应用电力电子技术过程中,绝缘栅双极晶体管(IGBT)驱动保护电路的合理设计应根据具体器件的特性,选择合适的参数,使之实现最优驱动和有效可靠的保护。本文结合具体的应用,重点介绍如何软件实现IGBT驱动及保护。     

微波小功率计的校准

1、前言 在直流和低频的场合，电压是描述信号强度的一个基本参数，功率测量可以通过电流或电压测量来完成。在高频和微波频率上，当工作波长可以与装置的尺寸相比拟时，在超高频分布参数电路中，由于有驻波现象出现，电压和电流能随传输线的位置改变，而功率始终保持常数值。     

一种减小VDMOS反向传输电容的新结构

利用高能离子注入与JFET注入结合的技术,设计了一款可以减小反向传输电容的P阱深结新型结构VDMOS器件。深结扩散提高了器件的击穿电压和稳定性,更短的栅极减小了形成反向传输电容的有效多晶硅栅长度,电容面积的减小从而降低了VDMOS的反向传输电容,同时优化JFET注入来解决由深结导致导通电阻增加的矛盾,采用A T H EN A和A T LA S工具对器件参数仿真优化。芯片流片测试结果表明这种新型结构能有效减小VDMOS的反向传输电容、提高开关速度和动态性能。     

试论微波大功率输出及其控制技术

微波作为一种电磁波,不仅具有良好的波的特性,同时具有能量,已在通信传输、广播电视以及一些食品加工和医疗辅助治疗方面广泛应用。在二十一世纪之前,主要利用单片机完成对微波功率输出的控制技术,进入二十一世纪后,国家科研水平的提高,逐渐形成了以DSP模块化为控制的微波功率输出控制系统。介绍利用DSP控制模块实现对微波大功率输出和控制,并保证整个工作过程的稳定和效率。     

微波功率晶体管热特性的仿真研究

利用热仿真软件,对器件的结构参数和电参数变化时器件热场的变化进行了研究,获得了发射极镇流电阻的最佳热设计;证明了在测试电流较小时,用电学法的结温近似等于热源区内最冷子跑的平均温度,并得到了计算峰值热阻的定量表达式。这一结果对研究热阻测量具有重要意义。     

浅析电子设备中功率器件的热设计与散热设计

院电子设备(产品)在工作过程中,随着温度达到或超过规定的温度值时,就会引起或增大电子设备的失效率,也就是过热失效.做好电子设备中功率器件的热设计与散热设计是提高电子设备(产品)质量与可靠性的关键环节     

低频信号发生器的设计

直接数字合成(DDS)是一种重要的频率合成技术,具有分辨率高、频率变换快优点,在雷达及通信等领域有着广泛的应用前景。介绍了一种高性能DDS芯片AD9850的基本原理和工作特点,阐述了如何利用此芯片设计一种频率在0kHz~50kHz内变化、相位正交的信号源,给出了AD9850芯片和MCS51单片机的硬件接口和软件流程。     

应用于相控阵收发组件的射频微波集成电路设计探讨

微波单片集成电路非常重要,目前已经在各类高技术装备中得到了广泛的应用。文章首先对相控阵收发组件射频微波集成电路的设计优点进行了介绍,然后基于Ga N工艺基础进行射频微波集成电路的设计,取得了良好的设计效果,实现了数字电平直接对微波控制器件的控制。