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《中国高新技术企业评价》2015,(23)
Cd Se、Cd S是重要的II-VI族纳米半导体化合物,具有较大的禁带宽度和激子束缚能,以宽带隙半导体Cd S为壳层包覆窄带隙半导体Cd Se核层,使表面缺陷减少,从而提高核层的荧光量子产率。文章对Cd Se/Cd S核/壳纳米线进行了制备,并探寻了Cd Se/Cd S核/壳纳米线的光学性质,为纳米材料在光学、光子学方面的应用奠定了基础。 相似文献
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声子晶体是一种功能材料或功能结构,其中材料中呈现声波/弹性波,结构呈现周期性结构,声子晶体因为其在缺陷态、带隙以及通带频率范围内存在一定的物理性质,而导致其在隔振、减振、降噪等功能设计方面有广大的应用前景,因此受到了广泛的关注.本文以声子晶体为研究主体,然后进一步研究了非均质材料表面/界面的效应,并揭示了涉及表面/界面效应的声子晶体带结构的计算方法和影响,从而更好的探索声子晶体的机理以及若干特性. 相似文献
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硅酸铁锂是一种锂离子电子的正极材料,由于其晶胞在理论上可允许可逆脱嵌两个锂原子,使得其理论比容量有巨大的提升空间,加上原料易得、无污染及成本低的优势,受到了人们的重视。正极材料掺杂被认为是改善其导电性能的有效途径。论文通过运用基于第一性原理方法的计算机仿真技术,对铬掺杂硅酸铁锂的结构和导电性能的影响进行了计算机仿真研究,结果表明未掺杂的硅酸铁锂其带隙快读为2.44eV,掺杂铬之后硅酸铁锂带隙减小为2.31eV,表明铬掺杂可提高硅酸铁锂的导电性能。 相似文献
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由于石墨烯特殊的结构使得它有优异的物理,化学性质.石墨烯材料的研究是当前各大相关领域研究的前沿和热点.当前,石墨烯的研究和应用的关键是如何大规模,低成本,高质量,可控制的生产石墨烯.本文综述了石墨烯的各种制备方法,石墨烯在复合材料,力学,摩擦学等一些方面的应用以及不足,并展望了今后石墨烯的发展前景及趋势. 相似文献