Li_2O掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的低温烧结与介电性能

Ba_(1-x)Sr_xTiO_3材料具有强的介电非线性特性,在可调微波器件方面有广阔的应用前景。电子陶瓷器件的小型化、集成化的发展要求Ba_(1-x)Sr_xTiO_3材料能够实现低温烧结。采用柠檬酸盐法制备名义组成为Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3+0.5wt.%Li_2O(简称BSTL)的陶瓷样品,研究了在烧结温度为900℃下,保温时间对BSTL陶瓷的结构与介电性能的影响。研究结果表明,Li_2O的添加有效地降低了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(简称BST)材料的烧结致密化温度。保温时间的增加,促进了Li+固溶进入BST晶格,加快烧结过程中的传质,提高了样品的致密度。烧结温度为900℃、保温时间为8 h的陶瓷样品介电性能最佳:在频率10 k Hz下,介电常数为2 246,介电损耗为0.3%;偏置电场为30 k V/cm和频率为10 k Hz条件下,可调性为29.6%,优值系数(FOM)为96.2。     

退火温度对Bi_(0.98)Sr_(0.2)Fe_(0.98)Mn_(0.02)O_3薄膜结构和性能的影响

单相多铁性材料BiFeO_3(BFO)因具有优异的铁电性能及介电性能,有望在未来的多功能器件中得到应用。采用溶胶-凝胶法,通过层层退火工艺,在不同退火温度下制备了组成为Bi_(0.98)Sr_(0.2)Fe_(0.98)Mn_(0.02)O_3(BSFM)的薄膜样品。研究了不同温度下BSFM薄膜样品的晶体结构、显微形貌、铁电性能和介电性能。结果表明,BSFM薄膜的最优退火温度为525℃,所制备的薄膜样品中无杂相产生,薄膜表面平整致密,测试电场为800 kV/cm时,薄膜的剩余极化强度达到54μC/cm~2;测试频率为1×105Hz时,介电常数为230,此频率下测得薄膜样品的介电损耗为0.19。     

[Ni（DTPB）Cl]（NO3）3·5H2O的合成、晶体结构和SOD模拟活性

合成了配合物[Ni(DTPB)Cl](NO3)3.5H2O(DTPB=1,1,4,7,7-五(2’-苯并咪唑甲基)-二乙基三胺),并用红外、紫外和X-射线单晶衍射等方法对其结构进行了表征。结果表明,配合物属于三斜晶系,空间群为Pī,Ni(Ⅱ)离子与一个氯离子,配体DTPB的3个苯并咪唑氮原子和二个烷胺氮原子配位,形成六配位的变形八面体构型。配合物具有一定的SOD模拟活性,其IC50为50.6 mg/L。     

CH_3X(X=F,Cl,Br,I)和nH_2O(n=1,2)反应的ab initio研究

应用Gaussian 09程序,在MP2/6-311+G(2d,2p)理论水平下,对CH3F和H2O反应体系的反应机理进行研究,发现2个反应通道,通道1是CH3F和H2O首先形成复合物CH3F·H2O,然后经过过渡态TS(CH3…F…HOH)直接生成产物CH3OH和HF;通道2是CH3F先经过过渡态TS'(H2C…HF+H2O)形成中间产物P1(H2C·OH2+HF),然后经过过渡态TS'(H2C…OH2+HF)生成产物CH3OH和HF。TS、TS'、TS'分别为68.120,88.422,85.215 kcal/mol,TS比TS'约低20 kcal/mol,即通道1为主要反应途径。研究CH3X(X=F,Cl,Br,I)和nH2O(n=1,2)的反应规律性,对Br、I使用Lan12mb赝势基组。结果表明:CH3X与1H2O反应时,CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I的反应能垒TS分别为66.635,63.384,61.774,56.254 kcal/mol,随着卤原子序数增加,反应能垒降低约3 kcal/mol。CH3X和2H2O反应时,CH3F、CH3Cl、CH3Br、CH3I的反应能垒TS1分别为57.264,54.084,51.389,39.816 kcal/mol;CH3F、CH3Cl、CH3Br的TS1比TS低10 kcal/mol左右,而CH3I的TS1比TS低16.4kcal/mol。CH3F水解的活化能TS1为57 kcal/mol,与实验值吻合较好。     

2-单取代-4(3H)-喹唑啉酮类化合物的合成研究进展

根据反应类型的不同,综述了2-单取代-4(3H)-喹唑啉酮类化合物的合成方法,并对这些方法进行了简要述评。