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通过对常用两种温度补偿方式的比较,介绍了一种改进型双Г电阻补偿网络作为宽温补偿技术。改进型双Г电阻补偿网络集成了桥式电阻网络和双Г电阻网络的优点,在高低温极值处具有更强的补偿能力。试验表明,采用该种补偿网络的温补晶振在-55℃~ 85℃的宽温范围内,频率温度稳定度优于±1×10-6。 相似文献
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介绍了一种新型的可编程温补晶振(TCXO),它是在传统的温补晶振基础上,结合锁相技术及新工艺研制而成。该可编程温补晶振输出频率可以根据用户需要进行再设置,不仅具有传统温补晶振的优点,而且使用灵活、方便。通过对10~300 MHz频率范围内的可编程温补晶振的实验,已获得了很好的效果。在-55℃~85℃的温度范围内,频率温度稳定度优于±2 ppm。利用贴装、混合工艺等使晶振的体积做到20.4 mm×13 mm×10 mm(D IP14)。 相似文献
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介绍了一种应用离子束刻蚀技术制作的三次泛音355MHz高频反台晶体谐振器，制作2．1305GHz温补晶体振荡器（TCXO）的方法。经测试，该温补晶体振荡器性能优良，且体积和功耗都较小，适用于导弹、无人机、卫星等飞行器。 相似文献
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介绍了一种特种调频晶体振荡器的研制、设计,该种晶振具有体积小、相位噪声低、调频指数波动小、工作温度范围宽的特点。研制的低相噪调频晶振在1kHz处单边带(SSB)相位噪声小于等于-155dBc/Hz,宽温度范围调频指数波动小于等于±1.0dB(-55～90℃)。 相似文献
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采用低噪声场效应晶体管,研制出一种高稳定度的小功率场效应管振荡器。它采用了介质谐振器作并联反馈电路,并加有稳定电阻。研制工作表明,这种振荡器具有大于1000的外部Q_(es)值,可在无滞后的情况下工作,并具有高的稳定性和宽的频率调谐范围。在5.5GHz频率上,输出功率为10mw,效率为25％,调谐带宽大于500MHz。在-40℃～十70~C温度范围内频漂小于±0.6MHz,频温系数小于±l PPM/℃。 相似文献
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研制了一种200 MHz高频晶体振荡器,概述了产品的组成及工作原理,给出了该高
频晶体振荡器的详细设计方法。仿真与实测结果表明,该晶体振荡器不仅具有优良的相位噪
声,同时也达到了预期的抗振设计要求。 相似文献
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文中介绍了研制５ＭＨｚ高稳低相噪压控晶体振荡器（ＶＣＸＯ）以及利用锁相稳频技术获得长、短稳皆优的频标信号的一种行之有效的方法。 相似文献
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介绍了频率为50MHz的低相噪恒温晶振的设计方法，分析了影响晶体振荡器相位噪声的主要因素，同时给出了研制产品的测试结果。 相似文献
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我们研制了一种普通封装的GaAs FET 和高Q介质谐振器的共漏振荡器。这种共漏振荡器采用FET沟道反向的办法,利用自身的栅源电容构成反馈电路,省去了复杂的外反馈网络;还采用了高Q介质谐振器作成反射型的稳频电路,解决了频率稳定度的问题。这种振荡器结构简单、调试方便,在4～6GHz范围内输出功率大于300mw,效率超过30％,机械调谱带宽大于100MHz;在-40～+70℃温度范围内,频漂小于±O.6MHz,频温系数为2×lO~6/l℃。 相似文献
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