基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计

设计了一个S频段宽带低噪声放大器.该放大器采用两级E-PHEMT晶体管(ATF541M4)级联结构,单电源供电模式.应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行了优化设计,最后通过S参数及谐波平衡仿真得到放大器的各项性能参数,在2.7～3.1 GHz频率范围内噪声系数小于0.6 dB,带内增益大于30 dB,带内平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比小于1.6 dB,1 dB增益压缩点输入功率不小于-15 dBm.仿真结果表明,该设计完全满足性能指标要求.     

中星九号低噪声放大器的设计

本文介绍了低噪声放大器的设计方法,利用安捷伦公司的ADS软件设计了一款应用于中星九号的低噪声放大器。该放大器在11.7-12.2GHz增益大于35dB,增益平坦度为±0.2dB,噪声系数低于0.86dB,适合于中星九号高频头的应用。考虑到该频段集总电容寄生效应难以估计,本设计采用耦合微带线进行直流隔离,达到了良好的效果。     

基于噪声抵消技术的低功耗C频段差分低噪声放大器

设计了一款??基于噪声抵消技术的低功耗C频段的差分低噪声放大器。该放大器由输入级、放大级以及输出缓冲级3个模块构成,其中输入级采用电容交叉耦合的差分对与直接交叉耦合结构差分对级联,实现输入匹配及噪声抵消;放大级采用具有电阻-电感并联反馈的电流复用结构来获得高的增益、良好的增益平坦性及低的功耗;输出缓冲级采用源跟随器结构,实现良好的输出匹配。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺库,验证表明在C频段,放大器的增益为20.4??0.5 dB,噪声系数介于2.3~2.4 dB之间,输入和输出的回波损耗均优于-11 dB,稳定因子恒大于1,在6.5 GHz下,1 dB压缩点为-16.6 dBm,IIP3为-7 dBm,在2.5 V电压下,电路功耗仅为6.75 mW。     

一种低功耗K频段低噪声放大器

基于0.13 μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化电感,降低了LNA噪声。实测结果表明,在1.6 V偏置条件下,该LNA在20 GHz的噪声系数等于1.94 dB,输入1 dB压缩点等于-29.6 dBm;18~21.3 GHz频率范围内,LNA增益大于23.3 dB,S11和S22均小于-10 dB。包含偏置电路功耗在内,芯片功耗仅21 mW,优于其他同等噪声系数的K频段SiGe BiCMOS LNA。该LNA可应用于卫星通信等K频段低功耗接收机系统。     

射频宽带低噪声放大器的设计与仿真

介绍了一种射频宽带低噪声放大器的设计过程,包括稳定性分析、偏置电路设计和匹配电路设计等内容.设计采用E-PHEMT晶体管(ATF-55143)器件模型和其他元件模型.通过采用ADS技术进行电路和电磁仿真,结果表明设计的放大器完全满足性能指标要求.     

Ka波段低噪声放大器的研制

本文介绍了Ka波段低噪声放大器的设计和实验结果。     

4.5～5ghz低噪声放大器

介绍了一种具有较好的噪声性能,以保证系统接收灵敏度;具有较好的限幅性能,以保证其良好的耐功率能力;具有较好的输入输出驻波性能,以保证系统工作的稳定性;实现高性能小型化、高可靠性.