基于ADS仿真的宽带低噪声放大器设计

设计了一个S频段宽带低噪声放大器.该放大器采用两级E-PHEMT晶体管(ATF541M4)级联结构,单电源供电模式.应用微波仿真软件ADS对匹配电路进行了优化设计,最后通过S参数及谐波平衡仿真得到放大器的各项性能参数,在2.7～3.1 GHz频率范围内噪声系数小于0.6 dB,带内增益大于30 dB,带内平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比小于1.6 dB,1 dB增益压缩点输入功率不小于-15 dBm.仿真结果表明,该设计完全满足性能指标要求.     

Ka波段低噪声放大器的研制

本文介绍了Ka波段低噪声放大器的设计和实验结果。     

中星九号低噪声放大器的设计

本文介绍了低噪声放大器的设计方法,利用安捷伦公司的ADS软件设计了一款应用于中星九号的低噪声放大器。该放大器在11.7-12.2GHz增益大于35dB,增益平坦度为±0.2dB,噪声系数低于0.86dB,适合于中星九号高频头的应用。考虑到该频段集总电容寄生效应难以估计,本设计采用耦合微带线进行直流隔离,达到了良好的效果。     

利用ADS软件设计X频段低噪声放大器

首先简要介绍微波低噪声放大器的设计理论和方法,然后介绍使用Agilent公司的微波电路CAD软件ADS进行仿真和优化设计一个X频段的低噪声放大器的方法和过程。对制成品的实际测试和调试表明,此放大器达到了预定的技术指标,性能良好。其工作频段为8.6~9.5 GHz,噪声系数≤1.8 dB,增益为23 dB,带内平坦度≤±0.5 dB。     

4.5～5ghz低噪声放大器

介绍了一种具有较好的噪声性能,以保证系统接收灵敏度;具有较好的限幅性能,以保证其良好的耐功率能力;具有较好的输入输出驻波性能,以保证系统工作的稳定性;实现高性能小型化、高可靠性.     

一种低功耗K频段低噪声放大器

基于0.13 μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化电感,降低了LNA噪声。实测结果表明,在1.6 V偏置条件下,该LNA在20 GHz的噪声系数等于1.94 dB,输入1 dB压缩点等于-29.6 dBm;18~21.3 GHz频率范围内,LNA增益大于23.3 dB,S11和S22均小于-10 dB。包含偏置电路功耗在内,芯片功耗仅21 mW,优于其他同等噪声系数的K频段SiGe BiCMOS LNA。该LNA可应用于卫星通信等K频段低功耗接收机系统。     

基于噪声抵消技术的低功耗C频段差分低噪声放大器

设计了一款??基于噪声抵消技术的低功耗C频段的差分低噪声放大器。该放大器由输入级、放大级以及输出缓冲级3个模块构成,其中输入级采用电容交叉耦合的差分对与直接交叉耦合结构差分对级联,实现输入匹配及噪声抵消;放大级采用具有电阻-电感并联反馈的电流复用结构来获得高的增益、良好的增益平坦性及低的功耗;输出缓冲级采用源跟随器结构,实现良好的输出匹配。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺库,验证表明在C频段,放大器的增益为20.4??0.5 dB,噪声系数介于2.3~2.4 dB之间,输入和输出的回波损耗均优于-11 dB,稳定因子恒大于1,在6.5 GHz下,1 dB压缩点为-16.6 dBm,IIP3为-7 dBm,在2.5 V电压下,电路功耗仅为6.75 mW。     

宽带信道增益平坦度仿真设计

宽带信道的增益平坦度指标好坏是信道宽带性能保证的基础,同时由于影响因素众 多,也是设计难点所在。以公式计算与电路仿真、三维电磁场仿真相结合的方式,详细分析 了微波电路设计中各种因素对信道增益平坦度的影响,再针对各种影响因素给出了电路解决 改善方法,论述了实际电路设计中宽带增益平坦度保证的关键技术和注意事项。     

一种射频宽带接收机的设计

介绍了一种高分辨率、宽频段接收机的设计方案,对其中的关键技术--宽带频综的实现方式进行了论述,并着重对非线性失真问题进行了分析,给出了在工程中实用的设计方法.     

低噪声放大器的发展状况

卫星通信用的低噪声放大器近年来取得了重大的发展。本报告介绍低噪声放大器最近的发展状况和在各频段中应用的噪声温度特性和设计特点。由于12千兆赫频段的场效应晶体管正在取得巨大的进展,所以对12千兆赫场效应晶体管低噪声放大器作较详细的介绍。最后,讨论改善噪声温度和应用等方面的将来的技术发展趋势。     

热释电BST薄膜红外探测器噪声分析及前置放大电路设计

针对热释电红外探测中微信号放大时的低信噪比问题,在分析热释电红外探测器及前置放大电路噪声来源的基础上,提出了一种热释电红外探测前置放大电路.电路仿真表明,文中所设计的前置放大电路具有低频特性好、高信噪比、高增益的特点,能有效放大微弱信号.     

一种软件无线电宽带射频前端的设计

比较了软件无线电宽带射频前端的几种技术方案特点及其可行性,提出了一种采用多路可配置信道组网射频前端方案,分析了其关键技术及解决措施;并以2～2 000 MHz宽带射频前端为例进行仿真,给出典型仿真结果,验证了方案的可行性.     

射频功率放大器告警功能模拟检测方案

射频功放模块是基站系统中的核心部件,出厂前对射频功放模块的功能进行检测意义 重大。设计了一块告警功能测试板,通过观察与射频功放模块相连的测试板上的LED灯,判 断射频功率放大器功能是否正常。实践证明,该方法能模仿射频功率放大器在实际基站系统 中 的工作行为,不仅有效地提高了射频功率放大器的良品率,而且适用于商业化大规模批量生 产。     

高效率线性RF功放的研究与设计

应用EER(Envelope Elimination and Restoration)线性功放技术和高效率D类音频放大技术，实现了一个高效率线性RF功率放大器。该线性放大器为AM调制，7MHz时效率优于75％。     

前馈线性功率放大器的设计

从前馈线性功率放大器的基本原理出发,采用HP ADS仿真软件对主功放进行优化设计,并在此基础上,提出加入反馈环路的前馈线性化设计方案,在保证系统性能的同时大大降低了系统实现难度.仿真结果表明该系统在输出10 W连续波功率的同时,三阶交调失真(IMD)低于信号功率-77 dBc,取得了明显的线性度改善效果.     

Ku频段低相噪捷变频频率综合器设计

介绍了一种Ku频段低相噪捷变频频率综合器设计方法。对接收本振源和发射激励源采用一体化设计,由于采用DDS PLL的方式,使此频率综合器在Ku频段上相噪优于-90dBc/Hz@1kHz,跳频时间小于10μs,激励源在Ku频段输出线性调频信号。     

射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真

简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物一半导体(SOI LDMOS)电路模型.根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真.该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计.结果表明放大器的增益达到15 dB,输出功率达到25 dBm,功率附加效率大于40%.     

Ka频段10 W自适应射频预失真线性化固态功放研制

射频功率放大器的特性会随信道切换、环境温度、工作状态等多种因素发生变化,为了保证功率放大器的优良工作特性,具有自适应性能的预失真系统就显得非常重要。提出了一种自适应反馈检测方法,以减小放大器输出信号的幅度失真和相位失真作为系统自适应的优化目标,〖JP2〗采用多方向搜索优化算法对预失真系统进行优化调整,使系统始终处于最优工作状态。研制了工作于Ka频段10 W自适应射频预失真线性化固态功放原理样机,当工作温度为-40℃～+60℃时,在3 GHz的工作带宽内,三阶交调指标优于-32 dBc。测试结果表明该功放具有工作频带宽、温度适应性广等特点。