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设计了一种用于跳频通信系统的射频功率放大器.该放大器具有较高的线性度,同时又能实现高功率的稳定输出,低功率输出大于0.25 W,中功率输出大于4.5 W,滤波器衰减损耗小于2 dB,谐波抑制大于48 dB.介绍了VHF跳频发射机系统,包括逻辑电平转换单元、调制环单元、射频环单元、频率合成器单元和功放单元;着重对射频功率放大器的性能进行了分析,指出了提高功放线性度的特殊方法;给出了射频功率放大器的硬件电路设计过程.最后,对射频功率放大器进行测试,结果表明,其性能指标完全达到系统设计要求,并有所提高,而且具有较强的实用性. 相似文献
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随着射频系统带宽的增加,如何达到良好的幅频特性成为研究的课题之一。介绍了一种用微带线均衡网络改善雷达发射机射频放大器幅频特性的方法,分析了该均衡网络的工作原理。通过仿真分析,对电路模型进行了改进并在某L频段放大器上对结果进行了验证。由于结构简单易调整,此均衡网络可方便地应用于功放组件内部。 相似文献
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根据数模混合集成电路系统级和行为级快速验证的需求,设计了一种卫星导航系统射频接收机前端的频率合成器。传统行为级模型一般是基于理想环路进行参数提取,误差较大。为此,首先,分别利用MATLAB和Verilog-AMS对频率合成器建立理想行为级模型与非理想行为级模型,并根据行为级模型提取与优化的环路参数,采用SMIC 180 nm CMOS工艺设计仿真电路级频率合成器;其次,建立MATLAB噪声模型,对电路级各个模块的噪声进行拟合,评估频率合成器系统的整体噪声性能。所提出的频率合成器设计方法对电路级设计具有前瞻性的指导,并有助于电路级的设计优化。 相似文献
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针对L频段低谐波失真功率放大器的设计,进行线性与非线性电路分析仿真和电路的优化设计。从理论上分析了甲乙类功率放大器的谐波失真特性,通过采用具有抑制谐波特性的输出匹配电路以降低功放产生的谐波失真。测试得到电路的关键技术指标为:工作频率范围1 390~1 510MHz,增益35 dB,1 dB压缩点33 dBm,并获得了满意的谐波抑制指标,在1 480 MHz、输出功率33dBm时,二、三次谐波分别为-70 dBc和-63 dBc。结果表明在功放设计中,优化设计输出匹配电路可以有效抑制功放的谐波失真。 相似文献
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针对一种新型的三路Doherty功率放大器,为满足其对称结构要求,在传统对称结
构二等分功分器基础上,结合三路Doherty功放电路尺寸,通过理论计算和采用ADS软件仿真
的方法设计了对称结构三等分Wilkinson功分器。其尺寸为19 mm×11 mm,在2.11
~2.17 GHz内,插入损耗小于0.4 dB,输出端口隔离度大于16 dB,端口回波
损耗大于13 dB。在适应三路Doherty功放对称结构的前提下,功分器性能指标满足功放
电路三路相位一致性设计要求,提高了放大器工作效率,测试结果显示饱和点工作效率高于
两路Doherty功率放大器。 相似文献
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基于自主研发GaAs肖特基二极管(SBD)设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频(RF)信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT(赝晶型高电子迁移率晶体管)混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。 相似文献