赵有文半导体材料研究者

赵有文,1999年获得博士学位.2000～2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作.目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶材料的生长技术、材料中的缺陷控制、与缺陷相关的材料物理性质研究以及材料在光电子和微电子器件上应用研究.近期开展了宽禁带半导体氧化锌和氮化铝单晶材料生长的研究.……     

赵有文 半导体材料研究者

赵有文,1999年获得博士学位。2000-2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶材料的生长技术、材料中的缺陷控制、与缺陷相关的材料物理性质研究以及材料在光电子和微电子器件上应用研究。近期开展了宽禁带半导体氧化锌和氮化铝单晶材料生长的研究。     

信息功能材料研究取得突破性进展

王占国，半导体材料及材料物理学家，中科学院院士。现任中科院半导体所研究员、中国电子学会半导体与集成技术分会主任、中国材料研究学会副理事长和多个国际会议顾问委员会委员。曾任半导体所副所长、半导体材料科学实验室主任、国家高技术新材料领域专家委员会委员和功能材料专家组组长。主要从事半导体材料和材料物理研究，在半导体深能级物理和光谱物理研究，半导体低维结构生长、性质和量子器件研制等方面，取得多项成果。先后获国家自然科学二等奖、国家科技进步三等奖、中科院自然科学一等奖和科技进步一、二和三等奖及何梁何利科技进步奖等多项，在国外学术刊物发表论文120多篇。     

范广涵LED研究应用的开拓者

光电专家,范广涵,教授.1968年毕业于哈尔滨军事工程学院原子工程系.从1970年在中科院长春物理所开始一直从事宽禁带半导体光电子材料和器件的研究.现任华南师范大学光电子材料与技术研究所所长,"广州LED工业研究开发基地"项目负责人.范广涵教授是我国最早进行GaN基蓝光材料和LED器件研究的开拓者.     

打造中国自主品牌的硅衬底氮化镓基LED产品——记中组部首批国家“青年千人计划”特聘专家、中科院苏州纳米所研究员孙钱博士

<正>孙钱博士长期致力于氮化镓半导体材料和器件的研究,有着十余年氮化物半导体外延生长的丰富经验。他曾在美国耶鲁大学深造,期间的科研成果在耶鲁大学工学院5个系排名第一,荣获耶鲁大学工学院最高奖Becton奖。     

中国科学院半导体研究所拓展发展空间服务半导体学科

中国科学院半导体研究所是1956年按照国家"十二年科学发展远景规划"中的"四项紧急措施"开始筹建的,正式成立于1960年,直接服务于当时的国家重大目标.现已发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术综合性研究机构.半导体所的主要研究领域涵盖了光电子及其集成技术,体材料、薄膜材料、...     

弥散强化铂及其制品生产工艺技术研究

弥散强化铂材料具有比纯铂更高的高温强度和高温持久强度,广泛应用在玻纤漏板、光学玻璃生产用坩埚等领域。本文介绍了一种用金属锆进行内氧化处理生产弥散强化铂的工艺方法,通过打包热静压复合可制得满足不同使用要求的复合强化铂材料,并用其试制出了单晶生长坩埚。     

中国科学院半导体研究所

中国科学院半导体研究所(简称半导体所)于1960年9月6日在北京成立,是集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究所,针对研究领域的特色和优势,在院地合作、技术转移等方面,配合中科院北京分院开展了大量工作.     

[Co(DABCO)_2Cl_3]的合成及红外光谱研究

由于微孔材料独特的结构特点及在分离、吸附、离子交换和分子识别、离子导体、磁学、催化等方面的应用,探索合成具有新颖结构的微孔化合物成为当今研究的热点。最近的几年里,开放式架构晶体材料的合成备受关注。离子热方法已被证明是一种多孔材料合成的有效的方法。文章介绍了通过离子热法合成了一种新颖的一维钴化合物,运用X射线单晶衍射、红外分析手段对其结构进行表征,探讨合成条件对产物形成的影响。     

浅谈数值模拟技术在高温合金熔模精密铸造中的应用进展

本文结合国内外高温合金熔模精密铸造数值模拟技术的研究工作和成果,介绍了温度场计算与缩孔缩松缺陷预测、应力场计算与热裂缺陷预测、微观组织模拟在复杂高温合金构件多晶铸造和单晶高温合金定向凝固等主要领域中的应用情况。结合实际应用中存在的问题,对数值模拟技术在高温合金熔模精密铸造中的应用前景和发展方向进行了分析和展望。     

国内快讯

中科院兰州化物所太阳能材料研究取得新进展中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室科研小组日前制备出高度有序的多孔型二氧化钛纳米管阵列材料,并实现了二氧化钛纳米管阵列的可控生长,其管径可控范围为20～     

基于CiteSpace的第三代半导体研究可视化分析

半导体材料是信息技术的核心基础，从基础技术层面支撑了我国电子信息科技产业的发展。借助CiteSpace软件，以中国知网数据库为文献来源，对我国2013—2023年第三代半导体相关文献从关键词、核心作者群体、重点科研机构等方面进行可视化分析，展现2013—2023年我国第三代半导体研究的发展过程，明确我国现阶段的研究热点，分析现阶段核心作者和重点科研机构的协作情况，为推动我国第三代半导体产业发展提供参考。     

院士寄语

王占国 半导体材料和材料物理学家。 长期从事半导体材料和材料物理研究。其中，人造卫星用硅太阳电池辐照效应和电子材料、器件和组件的静态、动态和核瞬态辐照实验结果，     

中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室材料加工模拟研究部

材料加工模拟研究部致力于采用计算机模拟技术与实验研究相结合的方法,对铸造、锻造、轧制、焊接及热处理等金属材料热加工过程进行模拟,计算温度场、流场、应力场等各种物理场量,预测材料加工过程的各种成形缺陷、组织及性能等.优化材料加工工艺。面向国家重大工程和重大装备,发展高性能金属材料和制造技术,解决一批国家急需的关键材料和关键产品的制造技术,实现进口替代。面向传统材料,提高规模化铸锻件的合格率、材料利用率,实现节能降耗。     

中国半导体何去何从

7月12日～16日，在美国举行的半导体设备与材料展览会(Semicon West)上，参展的厂商有1559家，共有展台3677个，约有5万人参加。该展览会的盛大场面反映了全球半导体产业自2000年的峰值循环之后，又一个循环的上升时期到来。     

薄壁高墩桥梁结构的非线性稳定分析

随着高墩大跨连续刚构桥墩高的增大、跨径的增长,桥梁的几何非线性和材料非线性也越来越突出,有必要对其进行非线性稳定分析.本文以薄壁高墩桥梁-北山大桥为例,研究其在不同参数下的线性和非线性稳定性.结果发现初始偏心、初始缺陷对薄壁高墩桥梁的稳定性影响比较大,应在实际施工和设计过程中予以重视.     

提高材料综合强韧性的新途径

提高材料的强度是几个世纪以来材料研究的核心问题。迄今为止强化材料的途径可分为四类：固溶强化、第二相弥散强化、加工（或应变）强化和晶粒细化强化。这些强化技术的实质是通过引入各种缺陷（点缺陷、线、面及体缺陷等）阻碍位错运动，使材料难以产生塑性变形而提高强度。但材料强化的同时往往伴随着塑性或韧性的急剧下降，造成高强度材料往往缺乏塑性和韧性，而高塑韧性材料的强度往往很低。长期以来这种材料的强韧性“倒置关系”成为材料领域的重大科学难题和制约材料发展的重要瓶颈。     

我国半导体材料研究及产业化获新突破

由北京有色金属研究总院承担的“ 0.5～ 0.6μ m IC用 8英寸硅 单晶抛光片研制”及“蒸气压控制直拉法生长半绝缘 GaA s单晶新技术研究”，日前通过了国家有关部门组织的专家 验收。该成果不仅填补了我国在大直径硅抛光片制造领域 的空白，而且为 8英寸硅抛光片的产业化提供了关键技术和 设计依据，现已应用在“直径 200m m硅单晶抛光片产业化示 范工程”上。目前，直径 8英寸硅片的市场占有率已超过 50％，随着新的半导体技术在 8英寸硅抛光片上的实现，其 作为主流产品的应用期限将进一步延长，显示出强劲的生 命力。     

合金领域的开拓者——白秉哲

在超塑性研究中，白教授始终把量大面广的工业合金作为主要研究对象，力图不用或少用细化处理工艺，从而提高超塑性技术的经济性。首先提出了“非理想材料超塑性”的研究方向，掌握缺陷形成的机理并通过控制变形参数抑制缺陷的产生，用低成本的材料超塑性成形出高质量的零件，形成了一个重要的研究方向。在超塑性变形各向异性、非均匀性的规律及控制、超塑性变形中材料显微组织变化规律等方面取得进展，首先提出超塑变形中显微组织“动态平衡”规律。这些方面的研究得到美、俄、印度等国超塑性专家的高度评价。     

范广涵LED研究应用的开拓者

光电专家,范广涵,教授.1968年毕业于哈尔滨军事工程学院原子工程系.从1970年在中科院长春物理所开始一直从事宽禁带半导体光电子材料和器件的研究.现任华南师范大学光电子材料与技术研究所所长,“广州LED工业研究开发基地“项目负责人.范广涵教授是我国最早进行GaN基蓝光材料和LED器件研究的开拓者.……