砷化镓双栅场效应管及其在微波电路中的应用

本文简述砷化镓双栅场效应管的基本特性及其在放大器、倍频器.混频器、振荡器、移相器和开关等微波电路中的应用.     

一种Ka波段混合集成的单平衡混频器

本文介绍了一种由正交E面折叠魔T与鳍线混合集成的Ka波段单平衡混频器的研制概况,混频器使用国产W121封装的带状引线混频二极管。介质基片采用国产的仿RT-Duroid5880,经测试该混频器的最小单边带噪声为5.7dB(不包括前中噪声),射频与本振的隔离度均优于20dB,整体尺寸为32×19×14(mm)。     

W频段二次谐波I/Q调制混频器的设计

基于自主研发GaAs肖特基二极管（SBD）设计了一款工作于W频段的二次谐波混频器,实现了对射频（RF）信号的I/Q调制。建立了二极管模型,利用电路结构走线长度控制信号流,实现了宽频带内的射频信号混频,并基于此通过HFSS和ADS联合仿真,完成了W频段二次谐波混频器设计。测试结果显示,采用45 GHz信号作为本振信号源,射频80~89 GHz与91~100 GHz的频带范围内变频损耗低于17 dB,最低变频损耗为12 dB;1 dB压缩功率大于11 dBm。仿真结果显示,80~89 GHz与91~100 GHz的镜频抑制效果明显,最好频点镜像抑制达到20 dB。相比于W频段GaAs pHEMT（赝晶型高电子迁移率晶体管）混频器,所设计的GaAs肖特基二极管混频器在较低变频损耗的情况下,具有工艺简单、易实现、高线性度、宽带匹配、高镜像抑制等优点,芯片尺寸仅为1 mm×1 mm。该款W频段混频器达到了目前国内较高水平。     

Ka频段宽带镜频抑制谐波混频器的设计

介绍了一种在Ka频段具有镜频抑制功能的四次谐波混合集成电路混频器的设计与实现.该混频器主要采用微带混合集成电路,由薄膜陶瓷基片制作.经测试,当中频固定在70 MHz,在射频大于4 GHz带宽内,变频损耗小于11.2 dB,镜频抑制度大于20 dB.     

无线电高度表微波集成前端

研制的4.3GHz无线电高度表微波集成前端已得到实际应用,它代替了整机原用的振荡-放大一倍频方案,提高了效率、减小了体积.微波集成前端采用了高线性度FET压控振荡器作发射源,采用高隔离度的单桥路不等负载三分贝混合环混频器.在-40°～70℃的环境温度范围内发射功率大于150mW,压控带宽123MHz,线性度小于3%,接收机噪声系数小予8dB.     

C波段双栅砷化镓场效应管三倍频器的研制

本文介绍了将双栅GaAs MESFET应用在三倍频器上的工作原理,设计思想,实验研制及在C波段的实验结果.这种三倍频器具有一定的倍频增益.目前国内还未见到同类产品.     

一种高线性短波宽带混频器的设计

采用双平衡场效应管结构和阻抗匹配技术设计了一种适用于短波宽带接收机的高线性 混频器,通过调整场效应管的沟道宽度和偏置电压优化了混频器的性能指标。该混频器射频 输入频率为15～30 MHz,本振输入频率为715～100 MHz,中频输出频率为70 MHz。测试结果表明：输入三阶截点高于40 dBm,变频损耗小于7 dB,1 dB 压缩点高于12 dBm,单边带噪声系数小于7 dB。     

卫星应答机用30GHz单片微波集成电路接收机

木文首先介绍了全微波集成电路(MMIC)化接收机的构成,然后讨论了低噪声放大器、宽带相移网络的镜像抑制型混频器、压控振荡器、模拟分频器、倍频器的MMlC电路设计和试验结果,以及利用这些MMIC电路构成镜像抑制型变频器和锁相环型本振,研制全MMIC化接收机的实践.     

30GHz单片接收机

已经研制成功30GHz接收机用的几种单片集成电路.低噪声放大器芯片在14dB增益时噪声系数为7.dB,中频放大器在30dB控制范围内,增益为13dB.混频器和移相器变频损耗和插入损耗分别为10.5dB和1.6dB.     

微波场效应管在相控天线阵中的应用前景

引言在双极晶体管不能达到的工作频率上具有良好性能的砷化镓肖脱基势垒栅微波场效应管(MFSFET)近十余年所取得的进步,可得出这样的结论:这种几乎是万能的有源器件可以用于任何高频无线电系统〔1〕。当要求器件在3千兆赫以上的频率工作而且要求大量生产时,     

半导体微波二极管国内外动态

本文主要介绍微波二极管的低噪声接收器件、微波发射器件和微波控制器件等研究状况以及它们的应用现状,另外,对这些器件的发展前景也作一概略展望.