3-噻吩丙二酸的合成研究

3-噻吩丙二酸是β-内酰胺类抗生素替卡西林钠的重要侧链中间体,介绍了用简单、易行的合成路线进行3-噻吩丙二酸的合成研究。由3-溴噻吩制得3-碘代噻吩的过程中,通过实验发现最佳反应条件如下:噻吩、CuI的物质的量比为1∶1.5,原料浓度为1.5mol/L(溶剂为喹啉),反应时间为20h,反应温度为140℃时,反应收率可由原来的42.0%提高到68.3%。其熔点与文献报道一致,结构经红外光谱、核磁共振谱得以确认。中试较小试收率提高2.78%。     

2，5—二氯—3—噻吩甲酸的制备

2，5-二氯-3-噻吩甲酸是一种重要的中间体，在药物制备中广泛应用，其制备工艺较多，现介绍以2，5-二氯噻吩为原料，在三氯化铝催化厂，合成中间体2，5-二氯-3-乙酰基噻，收率为93%，用该中间体和次氯酸钠反应制得2，5-二氯-3-噻吩甲酸，收率为87%，该工艺主要特点为原料易得，操作简单，反应收率高，催化剂较多可采用磷酸，硫酸，氧化锌，氟化氢，氯化锡，三氯化铝等，副反应少。     

走进电气化包装时代

自１９世纪７０年代聚合物发明１００多年来，它一直以绝缘这一伟大优点而自豪，并在工业中特别是在包装领域得到十分广泛的应用。但谁也没有料到，绝缘性能优良的聚合物在２０世纪８０年代，由于高科技的注入而变得更加温驯，使塑料包装进入了电气化时代。导电高分子具有特殊的结构和优异的物理化学性能，使其在光电子、信息产业、航空航天等领域有着广泛的用途，亦在防电磁、防静电、隐身包装（防红外、防雷达）、智能包装等方面，有着诱人的应用前景。因此，导电高聚物亦是２１世纪研究发展和推广应用的重点。１．概论１９７７年，日本白…     

TS-1分子筛用于吸附脱除及回收焦化苯中噻吩

高温煤裂解是苯的主要来源之一,这种方式生产的焦化苯含有多种杂质,尤其是噻吩,它的存在使焦化苯在多种工业用途中受到限制。目前工业上主要有三种工艺用于除去焦化苯中的噻吩,硫酸酸洗法,催化加氢法和萃取精馏法。前两种方法的共同特点就是噻吩的化学结构发生变化并受到损失。作为一种替代方案,研究人员探索了选择吸附的方法除去并回收噻吩。通过Cu^＋离子交换改性NaY分子筛,并用其选择性吸附焦化苯中的噻吩,由于噻吩和一价铜离子之间的吸附作用力太强导致噻吩无法回收,而且一价铜离子在空气中容易被氧化成二价铜离子,减弱该吸附剂与噻吩的相互作用力而影响吸附效率。再生这种吸附剂的方式就是焙烧,这样就会不可避免地产生二氧化硫气体。本文发现采用TS-1分子筛做选择性吸附剂可选择性脱除焦化苯中的噻吩,和CuY吸附剂相比,这种吸附剂的最大优点是吸附的噻吩可以通过热脱附的方式进行回收,吸附剂也可以通过焙烧的方式进行再生。     

基于电化学传感器的四氢噻吩浓度在线检测技术研究

天然气作为人民生活不可缺少的燃料,具有无色无味的物理性质,在使用过程中,容易发生由于泄漏引起的爆炸、火灾、窒息、致人中毒等安全事件.为了及时发现天然气泄漏可在燃气中添加少量四氢噻吩,但要确保燃气终端用户加臭剂含量在国家标准要求的范围内,需对燃气终端用户的四氢噻吩含量进行测量.基于电化学原理的四氢噻吩传感器,阐述了一种四...     

聚噻吩修饰纳米结构TiO2膜电极光电性能研究

用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了聚噻吩(PTh)膜和纳米结构TiO₂/聚噻吩(ITO/TiO₂/PTh)复合膜的光电转换性质。结果表明,PTh膜的禁带宽度为2.02eV,价带位置为-5.86eV,导带位置为-3.84eV。在ITO/TiO₂/ PTh复合膜电极中存在p-n异质结,在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离,PTh修饰ITO/TiO₂电极可使光电流产生波长发生明显红移,从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。在实验条件下,单色光的光电转换效率最高可达到13%。     

喷墨印刷／软光刻技术结合气相聚合法制备聚3，4-乙撑二氧噻吩图像

采用气相聚合,以咪唑衍生物为辅助料可以成功制备高导电透明的聚3,4-乙撑二氧噻吩（PEDOT）薄膜。带有1～2个烷基官能团的咪唑衍生物的加入可以显著提高PEDOT的电导率。为了研制一种易于实现的PEDOT成像法,本文采用了喷墨印刷或软光刻技术结合气相聚合法,并以带取代基的对甲苯磺酸铁为氧化剂,3,4-乙撑二氧噻吩为聚合单体来制备PEDOT图像。这种新型方法的实现将为制得本征导电高分子材料图像提供一个高效便捷的方法。     

环丁砜生产技术与市场分析

高纯度的环丁砜常温下是一种无色无味的固体，熔点27．8℃，工业产品多为浅黄色液体，是溶解能力强，选择性好的多效极性溶剂。它可以和水以任意比互溶，易溶于芳烃及醇类，而对石蜡及烯烃溶解甚微，对热、酸、碱稳定性高。