排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
就热载流子效应、软失效、体效应及寄生电容等问题将薄膜全耗尽CMOS/SOI器件与体硅CMOS器件进行比较。并阐述薄膜全耗尽CMOS/SOI技术是低压低功耗集成电路的理想技术。 相似文献
2.
3.
展望21世纪及1999年微电子技术的发展。认为21世纪初的微电子技术仍将以硅基CMOS电路为主流工艺,但将突破目前所谓的物理“限制”;集成系统将取代目前的集成电路得以迅速发展;微电子技术将与其它技术结合形成一系列新的增长点,微光机电系统(MOMES)、DNA芯片等将得到突飞猛进的发展。1999年的微电子技术将在超微细光刻技术、铜互连及低κ互连绝缘介质、高κ栅绝缘介质、SOI技术、GeSi和GaN技术等方面得到快速发展 相似文献
5.
6.
技术进步和市场需求促使VLSI从集成电路技术不断向微系统技术发展。本文将从微系统的一个分支——硅微电子机械系统方面介绍和讨论有关这种发展的一些问题。 相似文献
7.
8.
9.
10.
台湾微电子产业发展迅速,自台工业研究院电子所1977年从美国RCA引进7微米(μm)的MOS生产技术不到20年时间,1995年台湾信息产业已跃居世界第三位,仅次于美国,日本。而集成电路产业近年以50%的速率增长,已成为世界第四大半导体工业基地。集成电路总产值1994年为12.3亿美元,占1994年电子工业的10.9%,IC产值/GDP已达0.51%。新建的八英寸0.5μm和0.35μm技术的生产线共有15条,总投资为3390亿台币(也有报道说19条生产线,总投资4100亿—编辑注),相当于125亿美元,月产8”片38.4 相似文献