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本实验是通过向铝酸盐水泥中加入SiC,研究加入SiC后是否能提高铝酸盐水泥高温后的强度。本实验共制备了四种配比(SiC的加入量为0、10、20、30wt%)的试块,通过养护到规定龄期,分别测定其常温强度、高温煅烧(800,1000和1200℃+3小时)后的强度。实验结果表明:SiC的最佳加入量为10%,最佳煅烧温度为1000℃×3h。适量添加碳化硅粉体可以改善铝酸盐水泥的强度。 相似文献
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粉煤灰制备白炭黑的探索性研究 总被引:22,自引:0,他引:22
初步探讨了用工业固废粉煤灰制备白炭黑的方法.依此法,粉煤灰经激活、酸浸、陈化、除杂等工艺,制备出SiO2纯度达91.7%的白炭黑,其化学式为SiO2·1/7H2O,品质标准符合HG/T3601. 相似文献
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简述了单晶硅太阳电池的发电原理,分析了目前单晶硅太阳电池的应用情况,提出了单晶硅太阳电池应用的改进方案并给出了提高单晶硅太阳电池利用率的有关数据。 相似文献
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由广州颐和集团别墅热水供应系统。按实际要求需要1.5m3热水,出水温度为55°C。要求对建筑进行全天候热水供应。采用11块138W多晶硅太阳能电池板串联组成发电阵列,查询广州历年气象数据,广州平均每天日照3.69小时,按照电池板倾角及设备转换效率计算,系统每天可提供5.6度电。 相似文献
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对硅的干法刻蚀技术是现代半导体工业中非常重要的一项工艺。本文介绍了如何将硅片干法刻蚀技术引入到设计性、研究性的普通物理实验教学中.以及在相关实验教学的设计、实验内容的编排和教学方式等方面的一些特点。 相似文献
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实验采用glass/a-Si:H/Al结构,在厚100 nm非晶硅膜上蒸镀了不同厚度的铝膜,利用铝诱导晶化法晶化非晶硅薄膜,结果发现经380℃退火后非晶硅薄膜晶化率在铝膜厚度与非晶硅膜相等时有最大值,且其晶化率随晶粒尺寸的增大而增大,而其表面粗糙度随铝厚度的增加而增大。 相似文献
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分析了电子工业对半导体硅材料的新要求。通过对不同表面状态的硅片力学性能的测试,得出化学腐蚀在改善硅片力学性能方面具有重要作用,适当的化学腐蚀工艺可以大幅减少硅片制备过程中的不良率。 相似文献