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随着集成电路器件特征尺寸不断缩小,硅片尺寸不断增大,IC工艺变得越来越复杂和精细.为了提高器件的可靠性和使用寿命,芯片金属互连由铝互连向铜互连转移.而且对表面质量提出了更高的要求,要求表面必须进行全局平坦化,而铜互连化学机械抛光(CMP)是目前唯一能够实现芯片全局平面化的实用技术和核心技术.CMP一种将纳米粒子的研磨料作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来达到全局平坦化技术,而铜互连化学机械抛光液(Slurry)又是Cu互连CMP的关键要素之一,其性能直接影响CMP后表面的质量.文章将讨论Cu互连优势,Cu互连CMP工艺,铜互连CMP抛光液工作机理,最后浅谈未来Cu互连CMP可能遇到的技术挑战和抛光液所对应的发展趋势. 相似文献
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