具有红外反射和防结雾功能的汽车风挡玻璃

该产品在汽车挡风玻璃的里侧采用磁控溅射的方法镀制一层具有红外反射性能的薄膜，这一层薄膜对可见光则是透明的。     

熔铸法制备贫铀溅射靶片

为制备高纯度、高密度,高表面光洁度,内部晶粒尺寸细小且均匀分布的贫铀溅射靶片,开展了真空感应精炼、挤压、墩粗热加工、真空热处理工艺试验,制备了实心单质圆柱形贫铀溅射靶片。分析结果表明:贫铀溅射靶片杂质含量少,内部晶粒尺寸20μm,晶粒分布均匀,密度18.90g/cm3,柱面粗糙度Ra0.8μm,端面粗糙度0.4μm,完全满足磁控溅射铀薄膜对贫铀溅射靶材的技术要求。     

陶瓷基单层电容器（SLC）阵列设计与加工工艺实验研究

本文以SLC单层电容应用背景为前提,以介质陶瓷研究为衬底,采用半导体制造工艺技术探索陶瓷基SLC的制备工艺。首先利用专业软件L-EDIT进行设计掩模版图形,完成SLC单层电容所需掩模版加工制作;然后充分探索SLC制备环节中光刻工艺关键技术与参数,摸索出光刻环节线宽精度到1μm的工艺过程最后探索磁控溅射技术各项参数,调整工艺,制备出与掩模版图形设计相符合的SLC单层电容阵列。     

掺铕氮化铝薄膜的光致发光研究

利用射频磁控溅射方法制备了Eu掺杂的AlN薄膜样品。光致发光光谱测试表明,通过控制实验条件,样品在室温下可以发出不同颜色的光:在613nm和407nm处出现的两个较强窄峰分别对应于可见光区的红光和紫光。红光峰源于样品中的Eu3+离子4f壳层的5 D0-7F2能级跃迁,紫光峰则源自Eu2+离子的5d和4f间的能级跃迁。实验结果表明,随着溅射功率的增加,紫光强度得到明显加强.另外,中心位于525nm处存在一个宽的PL光谱带,对应于可见光区的绿光,该峰的出现与Eu3+5 D1-7FJ能级跃迁和样品中存在的结构缺陷和氧污染等因素有关.     

共溅射磁控溅射法制备AlN:Er薄膜的XPS和PL研究

采用共溅射磁控溅射方法,以Al+Er为靶材,通过Er和Al靶的面积比来控制Er在AlN中的含量,在Si衬底上制备出AlN:Er薄膜.XRD分析结果表明,样品为非晶态.XPS分析结果表明,制备的AlN具有良好的化学计量比,Er的含量被控制在1atm%左右,氧不可避免.光致发光光谱的测试表明,样品的PL光谱呈现宽谱之上叠加尖峰谱的特征.其中,尖荧光峰谱源于Er3+的4f轨道直接激发跃迁;而宽谱则可能与Er3+的4f轨道的间接激发跃迁和O杂质有关.     

PVD磁控溅射涂层的质量控制

本文主要介绍了PVD磁控溅射涂层的质量控制方法。     

固态锂电池用复合电解质材料的研究及制作

固体态锂复合电解质用于锂及锂离子电池具有安全、循环性能好等突出优点。本文综合地对可用于固态锂电池复合电解质材料作了详细的阐述,并对运用最广泛的复合电解质LiPON的物理基本特性进行了详细的分析,还详细地研究复合电解质的复合技术——磁控溅射技术、脉冲激光沉积技术(PLD)、真空热蒸发镀膜技术等技术,以期对复合电解质物性特点与材料的制作工艺的相关研究有深入了解。     

高阻隔陶瓷薄膜包装材料的研究进展及关键技术

本文总结了高阻隔陶瓷薄膜包装材料制造技术的发展进程,介绍了各种镀膜方法及特点;系统综述了国内外AlOx、SiOx薄膜的研究进展与应用现状,分析了陶瓷薄膜包装材料制造过程中影响阻隔性能的主要因素,研究了提高薄膜阻隔性的基本措施,由此展望了高阻隔陶瓷薄膜包装材料发展及应用前景。     

PVD镀Al膜工艺研究

介绍PVD的原理,描述PVD设备的结构原理和性能参数,通过实验研究了PVD镀Al膜的工艺,分析了磁控溅射中溅射时间、溅射功率、靶基距、溅射温度和靶材对最终Al膜质量的影响,为实际应用中参数设置和工艺改进提供了参考。     

一种基于PLC系统的具有自检测功能的溅射电缆

在生产过程中，大型真空溅射设备的靶材数量多，电源数量多，溅射电源和靶材之间的电缆多，并且电缆处于线盒中。然而更换靶材的周期短时间紧，工作人员难免会将溅射电源和阴极之间张冠李戴。一旦溅射电源和阴极张冠李戴就会存在一定的安全隐患，为了能提前发现此类错误而避免隐患就需要一种带自动检测功能的溅射电缆线。