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针对多层微波集成电路设计的微带线层间互连问题,介绍了垂直通孔互连、垂直带条互连和层耦合过渡互连三种高性能的互连方法,并且采用三维电磁仿真软件HFSS对这三种互连结构进行了建模和仿真。仿真结果表明,垂直通孔互连和垂直带条互连在0.1~25 GHz的频宽范围内,回波损耗S11<-20 dB,插入损耗S21>-1 dB,互连性能优良,而层耦合过渡互连在20~68 GHz内回波损耗S11 <-20 dB,插入损耗S21>-1 dB,具有在毫米波频段实现互连的潜力。 相似文献
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为保证高密度键合指的平坦度,提高键合质量、成品率和可靠性,对金属化浆料进行优化开发就非常必要,同样随布线密度提高,金属化互连通孔尺寸也随之变小,小尺寸通孔则必然需要合适的填充金属浆料。为满足线宽、线间距、通孔直径的要求,我们对引线印刷用和通孔填充用金属浆料做专门的研究。 相似文献
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《现代营销(创富信息版)》2008,(2):52-52
<正>微滴头专利号:200720078273.3本实用新型的目的是通过以下设计加以实现:一种微滴头,包括进水头:其上均布有许多通孔,其上部有用作与进水管连接的管节,下部设置有外丝口,还具有插入并封堵通孔、控制滴水流量的大头针;还具有下盖,下盖与进水头下部螺旋连接;下盖经滴液管与透明材质的储液室连通,且滴液管 相似文献
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基于0.13 μm锗硅(SiGe)双极型互补金属氧化物(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor,BiCMOS)工艺,设计制作了一种高增益低功耗K频段低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA),通过优化晶体管尺寸及利用硅通孔设计高品质因数射极退化电感,降低了LNA噪声。实测结果表明,在1.6 V偏置条件下,该LNA在20 GHz的噪声系数等于1.94 dB,输入1 dB压缩点等于-29.6 dBm;18~21.3 GHz频率范围内,LNA增益大于23.3 dB,S11和S22均小于-10 dB。包含偏置电路功耗在内,芯片功耗仅21 mW,优于其他同等噪声系数的K频段SiGe BiCMOS LNA。该LNA可应用于卫星通信等K频段低功耗接收机系统。 相似文献
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