排序方式: 共有12条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
本文提出一种适用于优化倍频器终端,具有最大输出功率和变换增益的设计准则,这种设计技术,首先是在线性S参数基础上,推导出MESFET终端的计算。尽管相当简单,但这种近似法导出了期望的结果,使用该方法,获得了曾经报导过的最大输出功率变换增益的折裹法,实验与模拟结果相当吻合。 相似文献
2.
3.
本文介绍了阶跃恢复二极管(SRD)倍频器的设计方法,据此设计研制了一种采用微带结构的2~10GHz的5倍频器。该倍频器结构简单,性能稳定可靠,测试结果表明,倍频后的相噪恶化达到理论值20logNdB(N为倍频次数)。 相似文献
4.
5.
本文介绍了将双栅GaAs MESFET应用在三倍频器上的工作原理,设计思想,实验研制及在C波段的实验结果.这种三倍频器具有一定的倍频增益.目前国内还未见到同类产品. 相似文献
6.
7.
本文介绍用变阻模式肖特基二极管制作的宽频带倍频器和由Ka波段CaAsMMIC放大器芯片组成的倍应一放大器混合集成组件,输出功率可达20dBm。 相似文献
8.
将微波介质谐振器应用于阶跃管高次倍频器中,这是一种新的尝试.由此构成的微波高次倍频器,既具有微波集成高次倍频器体积小、重量轻、加工简单的特点,又具有微波同轴腔高次倍频器对相邻谐波抑制度高的优点.因而是一种在星、弹航天设备中非常有用的微波固态源部件.已研制成的C波段22次倍频器,集成在两块20×60×1mm的氧化铝陶瓷基片上,对相邻谐波的抑制,在-40℃~+70℃温度范围内优于-50dB. 相似文献
9.
10.