排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1.
2.
1前言 金属硅的Si含量是通过分析Fe、Al、Ca等杂质元素加以确定的.杂质元素的多少,在很大程度上决定了金属硅的品质和用途,分析结果的准确性受到人们的重视.重要产品经常采取几个实验室同时分析的方式,以确定其杂质元素的准确含量. 相似文献
3.
4.
5.
6.
7.
电感耦合等离子体原子发射光谱同时测定金属硅中微量和痕量杂质元素 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了金属硅中微量和痕量杂质元素Al、Ca、Fe、Mn、P、Cr、Cu、Ni、Ti、V、Zr、As和B等电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)的同时测定方法,样品以HNO3、HCl和HF挥硅处理方法,在样品处理过程中,加入适量体积的甘露醇能够抑制B的挥发.在优化选定的仪器条件和测定介质下测定金属硅样品,用本方法测定了一个金属硅标准样品NIST SRM-57a,结果令人满意.金属硅样品中微量和痕量杂质元素的回收率均在95%~105%之间,相对标准偏差RSD均小于5%,该法操作简便、分析快速、结果准确可靠. 相似文献
8.
9.
10.