氮化硅的刻蚀及其它应用 |
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引用本文: | 张晓情.氮化硅的刻蚀及其它应用[J].科技与企业,2014(15):370-371. |
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作者姓名: | 张晓情 |
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作者单位: | 天光半导体有限公司,天水741000 |
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摘 要: | 氮化硅介质作为集成电路或半导体功率器件的介质层,具有掩蔽杂质沾污的作用,通过一系列试验研究,找到了氮化硅的干法、湿法刻蚀工艺,对半导体器件的性能有很好的提高,并且通过试验,还发现氮化硅具有透明耐摩擦的特性,可用于制作掩膜版的保护膜。
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关 键 词: | SiN(氮化硅) 刻蚀 保护膜 |
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