| Tm掺杂AlN薄膜结构及其光致发光特性研究 |
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| 引用本文： | 张勇,马玉彬.Tm掺杂AlN薄膜结构及其光致发光特性研究[J].嘉兴学院学报,2013,25(3). |
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| 作者姓名： | 张勇 马玉彬 |
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| 作者单位： | 嘉兴学院数理与信息工程学院,浙江嘉兴,314001 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控反应溅射方法,以Al-Tm合金为靶材,Si (100)为衬底,制备了铕(Tm)掺杂的氮化铝(AlN)薄膜.利用X-射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)研究了退火温度对样品结晶形态和表面粗糙度的影响.XRD测试结果表明,经高温退火处理后的样品具有良好的(100)择优取向；AFM测试表明,适当温度退火后的薄膜更加致密、平整；X-射线能量谱(EDS)测试表明,薄膜主要组分为Al、N、O、和C元素,但C、O主要吸附于薄膜表面,Al和N的含量接近于AlN的化学计量比；光致发光光谱(PL)测试表明,Tm掺杂的AlN薄膜发光中心位于468 nn,对应于可见光谱中的蓝色光,退火温度对发光强度有重要影响.
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| 关 键 词： | Tm掺杂AlN 射频磁控反应溅射 光致发光光谱 |
A Study of Tm-doped AlN Thin Films Structure and Photoluminescence Properties |
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| ZHANG Yong
,
MA Yu-bin.A Study of Tm-doped AlN Thin Films Structure and Photoluminescence Properties[J].Journal of Jiaxing College,2013,25(3). |
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| Authors: | ZHANG Yong MA Yu-bin |
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