|
|||||
|
|
| 我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世 | |
| 摘 要： | <正>近日,我国自主研制的4英寸高纯半绝缘碳化硅(SiC)衬底产品面世。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先进水平。碳化硅基微波功率器件具有高频、大功率和耐高温的特性,是新一代雷达系统的核心。长期以来,碳化硅基微波功率器件的核心材料高纯半绝缘碳化 |
|
||||||||
|
||||||||
|
||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |