赵有文 半导体材料研究者

赵有文,1999年获得博士学位。2000-2002年在中国科学院半导体研究所完成博士后研究工作。目前主要从事磷化铟、锑化镓、砷化镓等Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶材料的生长技术、材料中的缺陷控制、与缺陷相关的材料物理性质研究以及材料在光电子和微电子器件上应用研究。近期开展了宽禁带半导体氧化锌和氮化铝单晶材料生长的研究。