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紫光激发提高ZnO基半导体气敏传感器的敏感性能
引用本文:李金艳,胡木林,谢长生.紫光激发提高ZnO基半导体气敏传感器的敏感性能[J].山东经济战略研究,2006(2).
作者姓名:李金艳  胡木林  谢长生
作者单位:华中科技大学材料学院 模具技术国家重点实验室,华中科技大学材料学院,模具技术国家重点实验室,华中科技大学材料学院,模具技术国家重点实验室,武汉430074,武汉430074,武汉430074
摘    要:以激光-感应复合加热法制备的纳米ZnO粉末为气敏基料,制作厚膜型的管状气敏元件,采用紫光(波长为370~395nm)激发,对无水乙醇进行了静态配气法的气敏性能测试。结果表明在紫光激发下,ZnO基半导体气敏传感器在较低的工作温度条件下对无水乙醇具有较好的气敏性能,而且随着紫光光强的增大,气敏性能提高。

关 键 词:纳米ZnO  紫光激发  工作温度  气敏性能

Improvement of Sensitivity of ZnO Based Semiconductor Gas Sensor by Violet Ray Radiation
LI Jin-yan,HU Mu-lin,XIE Chang-sheng The State Key Lab. of Plastic Forming Simulation and Mould Techn. Dept. of Material Science and Engin. Huazhong Univ. of Science and Techn. Wuhan ,China.Improvement of Sensitivity of ZnO Based Semiconductor Gas Sensor by Violet Ray Radiation[J].Shandong Economic Strategy Research,2006(2).
Authors:LI Jin-yan  HU Mu-lin  XIE Chang-sheng The State Key Lab of Plastic Forming Simulation and Mould Techn Dept of Material Science and Engin Huazhong Univ of Science and Techn Wuhan  China
Institution:LI Jin-yan,HU Mu-lin,XIE Chang-sheng The State Key Lab. of Plastic Forming Simulation and Mould Techn. Dept. of Material Science and Engin. Huazhong Univ. of Science and Techn. Wuhan 430074,China
Abstract:
Keywords:ZnO nanoparticals  violetrays radiation  work temperatures  gas sensitivity  
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