双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善

在通讯或雷达系统的设计应用中,常常以硅功率晶体管作为接收微波频率的主要器件,而且为了能够更好的获取微波频率,一般是对晶体管的芯片进行高密度压缩设计,即在最小的集电结面积中安排最长的发射极周长。这种设计方法虽然可以使晶体管芯片的结构得到很大改善,但在工作运行中,却很容易使芯片出现高温现象,极大的影响了输出功率,甚至还可能将器件烧毁。而只有降低工作结温,才能保证硅功率晶体管的正常使用,提高其可靠性,延长其使用寿命。现主要是通过改进芯片设计,以双层金属电极替换普通的单层金属电极,以此来改善晶体管的结温,增大微波功率分布的均匀性。