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| 磁流变抛光技术在SiC晶片加工工艺中的应用研究 | |
| 作者单位： | ;1.西安派瑞功率半导体技术股份有限公司 |
| 摘 要： | 碳化硅作为新兴的一种第三代半导体材料,现已在电力电子行业得到非常广泛的应用。碳化硅应用技术的发展趋势必然会对晶片表面状况有着越来越高的要求,而这将是目前亟待解决的问题。本文简单介绍机械抛光、机械化学抛光、重点分析磁流变抛光技术原理,并通过大量试验得到碳化硅晶片通过磁流变抛光技术无论是晶片表面状况还是工作效率均有了很大的提高,这对该技术应用到实际生产中有很好的指导和参考意义。 |
| 关 键 词： | 碳化硅 晶片表面 磁流变抛光 |
Application Research on Magnetorheological Finishing in the SiC Wafer Processing |
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