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直拉区熔硅单晶的研究与应用
作者姓名:乔柳
作者单位:天津市环欧半导体材料技术有限公司
摘    要:太阳能资源丰富、清洁、可再生等优势,使光伏行业得以迅速发展,光伏领域最常用的P型直拉硅单晶杂质含量高,尤其是氧杂质高达1*1018atom/cm3,电池片转化效率提升受限且光致衰减较为严重,单晶轴向电阻率衰减导致转化效率波动较大,我司采用直拉区熔法研制的P型1-3Ω.cm硅单晶,氧含量≤5*1016atom/cm3,相比直拉硅单晶氧含量减小近2个数量级,少子寿命高,制备的电池片转化效率相比于直拉硅单晶电池片高出1.83个百分点,而光致衰减降低1.5个百分点,直拉区熔单晶轴向电阻率和少子寿命稳定性高,因此整颗单晶的电池片转换效率可控制在同一水平,有利于后续组件和电站的稳定性,因此直拉区熔硅单晶在光伏领域有较为广阔的前景.

关 键 词:直拉区熔硅单晶  电阻率  少子寿命  转化效率  光致衰减
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