| 使用传输线理论的硅通孔电参数提取方法 |
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| 引用本文： | 周子琛,申振宁. 使用传输线理论的硅通孔电参数提取方法[J]. 国际商务研究, 2016, 56(12) |
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| 作者姓名： | 周子琛 申振宁 |
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| 作者单位： | 武警工程大学 电子技术系，西安 710086,武警工程大学 信息工程系，西安 710086 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（61402529） |
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| 摘 要： | 针对三维集成电路中的关键技术硅通孔的电特性，使用传输线理论提取了其单位长度RLGC参数。将硅通孔等效为传输线，利用HFSS仿真结果并结合传输线理论给出了具体的参数提取方法。计算结果表明，硅通孔单位长度RLGC参数呈现较强的频变特性，当频率从1 MHz增加到20 GHz时，单位长度的电阻和导纳分别从0.45 mΩ/μm和2.5 μS/μm增加到2.5 mΩ/μm和17 μS/μm，而单位长度电感和电容分别从8.7 pH/μm和8.8 fF/μm减小至7.5 pH/μm和0.2 fF/μm。与传统的阻抗矩阵和导纳矩阵提取方法相比，该方法具有结果绝对收敛和适用频率高等诸多优点，可进一步应用于三维集成电路的仿真设计。
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| 关 键 词： | 三维集成电路；通硅孔；电参数提取；传输线理论 |
Through-silicon-via parasitics extraction based on transmission line theory |
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| ZHOU Zichen and SHEN Zhenning. Through-silicon-via parasitics extraction based on transmission line theory[J]. International Business Research, 2016, 56(12) |
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| Authors: | ZHOU Zichen and SHEN Zhenning |
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