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| SiC功率器件 | |
| 作者姓名： | 张玉明 张义门 罗晋生 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学，西安交通大学 |
| 摘 要： | 本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ（碳化硅）的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ和ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积，而性能已初步显示出ＳｉＣ高温大功率工作的优势 |
| 关 键 词： | 碳化硅功率器件 场效应 晶体管 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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