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| 退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响 | |
| 作者姓名： | 胡晓亮 朱宾宾 崔慧芹 王倩茹 周锋子 |
| 作者单位： | 麦斯克电子材料股份有限公司,河南 洛阳 471003,河南科技大学物理工程学院,河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南 洛阳 471000 |
| 摘 要： | 采用固相反应法制备同一掺杂比例在不同退火温度下的Li掺杂ZnO。利用XRD、SEM、UV光谱测量,探究了不同退火温度对于Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响。结果表明：退火温度为600℃时,Li掺杂对ZnO缺陷及光电性能调控效果较为理想。 |
| 关 键 词： | Li掺杂ZnO纳米晶 退火温度 缺陷调控 紫外光谱特性 |
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