美国研制成功存储三位数值的纳米线存储器

传统存储器件仅能存储“0”、“1”两位值，而美国宾夕法尼亚大学研究人员研制的一种以纳米线为基础的新型信息存储器件却能存储“0”、“1”和“2”3位数值。这一创造可能催生新一代高性能信息存储器。相关研究发表在近日《纳米快报》在线版上。